三星为下一代HBM解决方案开发的1d DRAM（第七代10纳米级）可能因良率不达标而不会很快投入生产。三星为未来HBM5E内存开发的新一代DRAM技术可能尚未做好生产准备。
韩国媒体IT Chosun发布的一篇报道指出，由于基于10纳米工艺技术的1d “D1d” DRAM良率未达到理想水平，三星可能正在搁置其下一代HBM解决方案的量产计划。
该DRAM技术此前已获得预生产批准（PRA），但由于良率低于目标水平，人们对启动试运行（更不用说量产）的投资回报率（ROI）提出了担忧。
一位熟悉三星电子内部运作的消息人士表示：“三星电子计划在D1d良率达到目标水平之前无限期推迟量产，截至目前，恢复生产的具体日期尚未确定。他们正专注于通过彻底重新审视工艺路线图来进一步提高良率。”
三星的D1d DRAM技术将在该公司未来的HBM内存路线图中扮演关键角色。它预计将被用于HBM5E，这是这家韩国半导体公司的第九代HBM解决方案。
1c DRAM目前正被用于横跨三代HBM产品，包括HBM4、HBM4E和HBM5。HBM4计划于今年晚些时候推出，并将被用于英伟达的Vera Rubin和AMD的MI400平台；而HBM4E预计将用于Rubin Ultra和MI500加速器。HBM5及定制设计预计将被英伟达的Feynman系列及其他竞品所采用。
几天前，我们曾报道三星正在大幅缩短其HBM开发周期。虽然这意味着新的HBM解决方案的准备速度会比以往更快，但这并不意味着它们已经做好了量产准备。开发周期和生产周期是不同的，而在这篇新报道中，生产周期被指为瓶颈所在。
与此同时，三星电子已投入额外资源，在韩国温阳建设一座规模庞大的芯片制造工厂。该设施的面积将相当于四个足球场，将用于生产包括HBM在内的下一代DRAM产品。该工厂将负责封装、测试、物流和质量控制，这些对于持续生产都至关重要。
快速的开发以及生产设施的扩建，将帮助三星与同样已开发并确保其D1d DRAM技术良率的SK海力士竞争。两者都在竞相争取领先人工智能公司的大额订单，只有那些能够多元化其HBM计划、专注于持续开发和量产计划、同时确保良好良率和稳定投资回报率的一方，才能产生积极成果。
