为应对人工智能领域日益增长的需求，三星电子正计划将其高带宽内存（HBM）的开发周期从两年缩短至一年，以期每年推出新一代产品。
HBM是驱动人工智能生态系统的各种加速器的核心组成部分。据韩国媒体《釜山日报》报道，三星是HBM和DRAM领域的重要参与者之一，其目标是大幅缩短开发周期，以跟上人工智能领域的高速增长轨迹。
多年来，三星一直以两年为周期开发新的HBM标准。目前，该内存制造商提供的最新产品是HBM3E，下一步则是HBM4。预计HBM4将于今年晚些时候随英伟达（NVIDIA）的Vera Rubin平台和超威半导体（AMD）的Instinct MI400平台等下一代加速器一同推出。一些厂商也采用较旧的HBM标准以控制成本上升，同时提供有竞争力的价值。
然而，鉴于人工智能的加速发展，三星认为其原有的两年开发周期已不再适用。因此，公司决定转向一年周期，这将使其能够更快地推出下一代HBM标准。
三星电子正在推行一项路线图，旨在将HBM代际更替所需的时间从大约两年缩短至一年以内。一位熟悉内部情况的官员表示：“公司已制定并正在实施一项计划，即每年推出新一代HBM，以配合英伟达（NVIDIA）等主要客户新AI加速器的发布周期。”
此举也将帮助三星与行业步调保持一致，因为AI加速器的发布已转向每年一次的节奏。同时，这有助于三星在与美光（Micron）、SK海力士（SK Hynix）等其他HBM厂商的竞争中保持优势。一年周期确保了三星的生存能力，并防止其在技术上落后。
分析认为，通过这种方式，三星电子将能够在客户“定制化HBM5”市场中获得强大的领先地位。这符合全球大型科技公司希望缩短产品开发周期、最大化供应链效率的需求。因为将开发周期缩短至一年，能够灵活应对客户路线图变化的优势。
三星还实现了全流程自主生产，从基础芯片的生产到内存堆叠和封装，这对其非常有利。公司还拥有与其HBM业务相匹配的理想基础芯片解决方案。
混合键合（Hybrid Bonding）等技术也至关重要，它们为定制化的下一代HBM解决方案（如HBM5和定制HBM）铺平了道路。这些努力的首个成果将是HBM4E，预计将于今年下半年开始样品测试。
