三星在其旗舰智能手机的规格领域一直备受批评，被认为处于被动地位，让中国竞争对手在这一特定领域超越了该公司。幸运的是，该公司正在为其Galaxy S27系列引入一项重大的存储升级，这将使其比之前的发布机型快得多、响应更迅速，更不用说为人工智能相关操作提供重大提升了。简而言之，2纳米芯片组升级并非消费者明年唯一期待的变化。
部分Galaxy S27机型将配备三星的下一代UFS 5.0存储，但整体配置不会有重大变化。
目前，所有Galaxy S26机型都配备了最高UFS 4.1存储，其读写速度快得惊人，更不用说更高的IOPS（每秒输入/输出操作次数），使得整个设备能在眨眼间完成任务。现在，三星并不仅仅是为其Galaxy S27家族挂上第五档，正如yeux1122的博客所指出的，这家韩国巨头正在考虑为部分机型带来UFS 5.0。
此前有传言称三星正在开发这种下一代存储，但在撰写本文时，其推出时间不会早于2027年，因为这家韩国巨头当时仍专注于UFS 4.0的改进。随着时间的推移，在未来设备中发现UFS 5.0慢慢成为现实，JEDEC（固态技术协会）表示，新的闪存芯片速度最高可达10.8GB/s，以满足智能手机的人工智能需求。
这种性能水平可与PCIe NVMe Gen 5标准相媲美，但读写速度的提升并非决定流畅体验的唯一指标。如上所述，IOPS在智能手机执行各种任务的速度方面起着至关重要的作用，如果三星能及时完成UFS 5.0存储的开发，至少我们应该能看到它出现在Galaxy S27 Ultra上。
当然，由于DRAM危机，三星的原始计划可能无法实现，但如果实现，存储容量不会有重大变化。这意味着Galaxy S27家族可能会以256GB的升级内存首次亮相，这对大多数买家来说将被认为是足够的。然而，比硬件更重要的是充分利用UFS 5.0存储所需的软件。
目前，UFS 4.0和UFS 4.1标准对于一些基本的人工智能相关操作来说已经绰绰有余，但要真正加速提供更贴近设备体验的计划，Galaxy S27不仅需要UFS 5.0闪存，还需要能够利用这种带宽的程序。
