三星或许已加入与台积电的2纳米制程竞赛，但尽管被许多客户视为可行选择，它远未能在公平竞争环境中与对手抗衡。根据最新报告，这家韩国晶圆代工厂在其2纳米全环绕栅极技术（GAA）上遭遇了进展瓶颈，最新估计显示其良率仍停留在50%中段范围。更糟糕的是，一旦后端工艺完成，该数字预计将降至40%。简而言之，其2纳米GAA制程60%良率的说法可能并不准确。
50%范围的2纳米良率仅表明该制程处于“运行”状态，并无迹象显示三星已获得长期客户。
对于三星而言，若要赢得如高通等客户的信心，其2纳米GAA制程的良率基准需达到70%，而这正是其目前难以企及的目标。事实上，据韩国媒体《釜山日报》（Busan）报道，该公司进展估计约为55%，且处于“运行”阶段。这意味着，尽管三星已进入下一代制程范畴，但尚未达到可扩展生产线并承接更多客户的技术阶段。
然而，报告确实指出三星为与台积电竞争所取得的惊人进展。其2纳米GAA制程良率在2025年下半年估计为20%，而在不到一年内该数字已攀升至50%中段。不同媒体对具体数字的报道存在差异，因此难以确定三星的实际进展。
我们公司的内部联系人证实，这家韩国巨头不会公开评论良率数据，因此这些报道更多依赖于推测而非准确数据。即便三星在其2纳米GAA制程上遭遇困难，这一挫折并未阻止其获得来自特斯拉和中国加密货币设备制造商的芯片订单。
其位于美国的泰勒工厂预计将很快进行试产，而计划于今年晚些时候发布的Exynos 2700，可能成为三星首款采用第二代2纳米GAA节点的产品。简而言之，光刻技术或可从优化中受益，但这些限制并未阻止三星向更先进制程迈进。因此，尽管它仍能从部分客户处获得订单，但其作为台积电替代方案的可行性将受到质疑。
