三星在3纳米以下的扩产计划进展较为顺利，其2纳米全环绕栅极（GAA）制程的良率据估计已达到60%，这给了这家韩国代工厂足够的信心，在其泰勒工厂推进下一代光刻技术的试产。该工厂最初是为4纳米晶圆制造而建，此前曾有报道称三星计划将这座海外工厂转变为2纳米制造中心，从而获得相对于台积电（TSMC）的优势，因为后者将其最先进的技术限制在进入美国本土。
台积电仅限在美国大规模生产2纳米芯片，这为三星的泰勒工厂提供了一个巨大的机遇，目前三星正在测试极紫外（EUV）设备以推进制造。
据Edaily报道，三星泰勒工厂的部分区域已获得临时使用许可证，允许专业工程师进驻现场并加快运营。此前有报道称试产将于3月开始，届时将有超过7000名员工驻厂以落实公司的计划。荷兰制造商ASML——其生产的先进极紫外光刻机对于大规模生产2纳米全环绕栅极晶圆至关重要——据称也已派出团队协助三星员工部署设备。
假设试产成功，泰勒工厂的运营将于今年开始，全面量产预计在2027年的某个时候。该报告中奇怪的一点是提到了4纳米生产，但我们之前已经说明，三星有意将泰勒工厂升级至2纳米全环绕栅极工艺，该工艺在技术精进程度上远超旧的光刻技术。该工艺也曾被用于制造Exynos 2600。目前，三星的2纳米全环绕栅极节点已拥有多家美国客户，其中利润最丰厚的是特斯拉（Tesla）。
此外，该公司还获得了来自美国无晶圆厂半导体公司和云服务提供商的芯片订单，进一步巩固了其在美国市场的强势地位。台积电一直难以满足需求，其3纳米产能已变得非常紧张，这使得三星成为大量客户的可行替代选择。如果说代工厂有一个可以发力的领域，那就是更多地专注于稳定良率。通过这种方式，制造商可以降低晶圆成本，并在不久的将来通过向客户提供折扣进一步削弱台积电的竞争力。
