除了开发第二代和第三代2纳米GAA工艺外，一份新报告指出，三星正致力于引入其最先进的光刻技术——被称为“梦想半导体”节点的1纳米工艺。不出所料，这家韩国巨头需要几年时间才能准备好展示这项技术。
据悉，该公司的研发计划将于2030年完成，制造工艺则定于2031年推出。当然，将节点从2纳米缩小到1纳米几乎是一项不可能完成的任务，但据称三星将依赖一种“叉片”方法，从而能在相同面积内集成更多晶体管。
三星的1纳米工艺叉片技术通过在栅极架构之间竖起一道“墙”，帮助在相同面积内增加晶体管数量。
所有三种2纳米工艺都采用了GAA技术，通过将电流路径从三条扩展到四条来最大化能效，但在1纳米节点上采用相同技术效果将不那么显著。据《韩国经济日报》报道，三星的目标是通过在GAA器件之间添加非导电墙来实现其2纳米以下技术的大规模生产，这类似于将叉子插入可用空间，因此得名叉片。
类似于住宅建筑中草坪环绕相邻结构，三星的方法是移除这些草坪并增加更多结构，从而在相同的芯片面积内创造更多晶体管。去年，有传言称这家韩国科技巨头因未公开的原因取消了其1.4纳米工艺，不过后来有报道称，该公司已将这一节点推迟到2028年，可能是因为其希望将注意力转移到2纳米GAA技术上。
也很可能因为当时三星尚未探索采用叉片技术而持续面临生产障碍。在额外研究的帮助下，该公司可能已经解决了这个问题，但其1纳米工艺能否成功执行，只有时间才能证明。看看Exynos 2600，它存在功耗激增问题，导致该SoC在运行Geekbench 6等基准测试时消耗30瓦功率，三星尚未解决其2纳米GAA工艺的能效方面问题。
这一负面特性还导致电池续航下降，这就是为什么标准版Galaxy S26的骁龙8 Elite Gen 5版本比Exynos 2600版本的续航时间长28%。简而言之，三星的盔甲上存在一些需要修补的裂缝，这要从其第二代2纳米GAA工艺（也称为SF2P）开始着手。
