在最新的一项智能手机续航测试中，三星关于其2纳米GAA制程的虚假宣传再次被证伪。测试将搭载Exynos 2600的Galaxy S26与搭载骁龙8 Elite Gen 5的版本进行对比。根据一位YouTube博主的测试，尽管两部手机在其他所有方面都完全相同，但续航时间却出现了惊人的2小时38分钟的差距。
在Exynos 2600上执行视频编码等高强度任务会导致过热和电池更快耗尽。
YouTube频道Android Addicts尽可能公平地测试了这两款Galaxy S26机型，测试时关闭了Wi-Fi，并在Exynos 2600和骁龙8 Elite Gen 5版本上均启用了5G。对于可能不了解的多数读者来说，智能手机内部温度升高也会导致电池更快耗尽。在视频编码测试中，搭载Exynos 2600的Galaxy S26开始过热，从而缩短了其运行时间。
问题似乎出在Exynos 2600的10核CPU集群上。当处于高负载状态时，其功耗会达到更高水平，而Galaxy S26紧凑的机身无法持续承受这种功耗。在之前的综合计算测试中，三星首款2纳米GAA系统芯片在Geekbench 6等应用中能效极低，Exynos 2600的峰值功耗达到了30瓦，比骁龙8 Elite Gen 5高出40%。
尽管这些功耗峰值只持续一瞬间，但即使在日常使用中持续迫使Exynos 2600工作，也会对Galaxy S26的电池寿命产生不利影响。测试结束时，Android Addicts透露，搭载骁龙8 Elite Gen 5的设备续航时间长达9小时26分钟，令人印象深刻，而Exynos 2600版本在6小时48分钟后便关机，电池续航时间相差28%。
这种程度的差异应该引起三星的彻底调查，因为这可能意味着两种可能性之一：要么2纳米GAA制程的效率并不像这家韩国巨头引导大众相信的那么高，要么该公司应该减少CPU核心数量，并更专注于降低功耗。或许Exynos 2700可以遵循这一思路。
