苹果在发布M5 Pro和M5 Max时，首次运用了其新的“融合架构”，这使得两款系统级芯片（SoC）采用了独特的小芯片设计，比以往苹果芯片所采用的单片式架构更为先进。
通常，新芯片组会采用2.5D设计，即各个功能模块位于芯片的不同区域。但在最新的采访中，一位来自苹果平台架构部门的员工提到，M5 Pro和M5 Max采用了垂直堆叠的芯片设计。这一变化带来了诸多好处，因此令人颇感意外。
苹果的阿南德·辛皮（Anand Shimpi）表示，公司从M3 Ultra的UltraFusion中介层技术中汲取了经验，使得M5 Pro和M5 Max得以采用更新的封装技术。
前Anandtech网站负责人阿南德·辛皮（Anand Shimpi）目前受雇于苹果，任职于公司的硬件技术部门。辛皮与德国媒体Heise online进行了深入交流，提供了关于M5 Pro和M5 Max的更多细节。新一代苹果芯片家族最大的变化之一就是引入了堆叠芯片设计。
得益于M2 Ultra和M3 Ultra的UltraFusion架构所积累的经验，新的融合架构已成功应用于M5 Pro和M5 Max。虽然我们尚未看到芯片的显微照片来确认这种封装方式，但堆叠芯片通常意味着每个功能块上下堆叠放置，从而形成一个高带宽、低延迟且能效极高的接口。
“这本质上是类似概念的一个更新版本。在早期的Ultra芯片中，我们是将两个相同的SoC组合成一个更大的SoC。而现在，我们实际上是将一系列功能拆分到了两个不同的芯片上。它们并非彼此的镜像；我们为每个芯片都集成了独立的知识产权模块。”
堆叠芯片设计意味着M5 Pro和M5 Max模仿了一种与3D封装类似但不完全等同的设计。在这种设计中，CPU和GPU模块会像三明治一样与其他组件上下堆叠，从而实现各组件间显著更快的通信。然而，根据哪些部件被垂直堆叠，性能提升的代价可能是温度升高，因为堆叠部件的热量会叠加。
不过，在之前的一项多核压力测试中，M5 Max的最终温度反而低于M4 Max。另一个有趣的点是，虽然Heise online称阿南德·辛皮是苹果的平台架构部门员工，但在X平台的一条讨论串中，@IanCutress回复称辛皮实际上从事竞争分析与优化工作。简而言之，该科技媒体关于堆叠芯片的评论可能有误，因此我们建议读者对此信息持保留态度，并等待进一步的更新。
