在英伟达GTC 2026大会上，三星电子展示了其专为英伟达当前及未来人工智能平台设计的下一代HBM4E内存、PCIe Gen6固态硬盘以及SOCAMM2内存。
三星的HBM4E内存已准备就绪，专为英伟达鲁宾Ultra（Rubin Ultra）平台打造，其输入/输出速度高达16 Gbps，每堆栈带宽最高可达4 TB/s，并采用16层堆叠技术，使单堆栈内存容量达到48 GB。这一下一代解决方案专为英伟达鲁宾Ultra平台精确设计，该平台将在现有鲁宾芯片基础上实现性能翻倍，集成四个GPU小芯片和16个HBM内存位点。
基于此，我们可以预见鲁宾Ultra平台将拥有惊人的内存能力：若采用16层堆叠的HBM4E，总容量最高可达384 GB；若速度设定为16 Gbps，总带宽最高可达64 TB/s。与提供288 GB HBM4内存和最高22 TB/s带宽的鲁宾平台相比，这些数字堪称疯狂。
三星电子今日宣布了将在英伟达GTC 2026上展示的全面人工智能计算技术。
三星在英伟达GTC 2026展示的核心将是现已投入量产、专为英伟达薇拉·鲁宾（Vera Rubin）平台设计的全新第六代HBM4内存。三星HBM4有望加速未来人工智能应用的发展，提供稳定的11.7 Gbps处理速度，这超过了8 Gbps的行业标准，并可提升至13 Gbps。
通过利用最先进的第六代10纳米级动态随机存取存储器工艺，三星实现了稳定的良品率和行业领先的性能。公司下一代HBM4E内存也将在GTC 2026首次亮相，其每引脚速度达16 Gbps，带宽达4.0 TB/s。
参观者还将能一窥三星的混合铜键合技术。与热压键合相比，这种新方法能使下一代HBM实现16层或更多层堆叠，同时将热阻降低20%以上。
三星与英伟达的紧密合作将在展台独立的“英伟达画廊”中重点展示，特别呈现一系列为英伟达人工智能基础设施设计的三星尖端技术，如HBM4、SOCAMM2和PM1763固态硬盘。
为满足人工智能系统对最高效率和可扩展性的需求，基于低功耗动态随机存取存储器的三星SOCAMM2是一款优化的服务器内存模块，为下一代人工智能基础设施提供高带宽和灵活的系统集成。三星SOCAMM2目前已投入量产，是业内首个达到此里程碑的产品。
专为下一代人工智能存储解决方案设计的三星PM1763固态硬盘基于最新的PCIe 6.0接口，提供快速的数据传输和高容量。其行业领先的性能将在运行英伟达SCADA编程模型的服务器上进行演示。
作为英伟达用于薇拉·鲁宾平台加速存储基础设施的新BlueField-4 STX参考架构的一部分，三星PM1753固态硬盘将展示其如何帮助提升推理工作负载的能效和系统性能。
三星的内存解决方案也为个人设备上的本地人工智能工作负载提供了最大化的效率。在GTC 2026期间，三星将展示为个人人工智能超级计算机量身定制的高效解决方案，包括用于英伟达DGX Spark的三星PM9E3和PM9E1闪存。
此外，三星将展示专为无缝集成到高端智能手机、平板电脑和可穿戴设备而设计的动态随机存取存储器解决方案——LPDDR5X和LPDDR6，它们能提供更快的数据吞吐量和更低的延迟。LPDDR5X每引脚速度高达25 Gbps，同时将功耗降低高达15%，从而在不牺牲电池续航的情况下，实现超灵敏的移动体验、高分辨率游戏和人工智能增强应用。
在此基础上，LPDDR6将每引脚带宽进一步推至可扩展的30-35 Gbps，并引入了自适应电压调节和动态刷新控制等先进的电源管理功能，共同为下一代边缘人工智能工作负载提供所需的性能。
