随着三星的Galaxy S26系列正式发布，少数幸运的科技爱好者已经拿到了这款新手机，以及在某些地区随基础版S26和S26+一同发售、仍显神秘的Exynos 2600芯片。
就在Exynos 2600与骁龙8 Elite Gen 5的性能之争尘埃落定数小时后，一个科技相关的YouTube频道明确展示了三星这款最新旗舰级应用处理器的散热实力，这无疑是个全方位的利好消息！
三星终于解决了Exynos 2600芯片的“热岛”问题。Vật Vờ Studio的Long Ngong最近通过安兔兔、3DMark和CPU Throttling等测试对Galaxy S26和Galaxy S26+进行了全面评估。
为了测试Exynos 2600芯片的散热性能，Ngong连续游玩了三款游戏——《英雄联盟：激斗峡谷》、《原神》和《崩坏》，并均设置为最高画质。测试期间的环境温度保持在26摄氏度左右。
在运行《英雄联盟》时，基础版Galaxy S26的平均温度约为32摄氏度。在Galaxy S26+上运行《原神》超过15分钟后，设备正面的最高表面温度约为38摄氏度，而背面的温度则在37至37.5摄氏度之间波动。接着，在Galaxy S26+上运行《崩坏》时，尽管帧率确实偶尔有明显下降，但设备正面的最高温度仅为39摄氏度，背面记录的最高温度则略高于38摄氏度。
这对于那些经历了历代Exynos芯片糟糕散热表现的三星消费者来说，当然是个非常好的消息。为了让可能不了解的读者明白，三星主要通过三种方式彻底革新了Exynos 2600的散热性能。
首先，Exynos 2600是三星首款采用其2纳米全环绕栅极（GAA）工艺的芯片。这是一种三维晶体管架构，栅极完全包围着由垂直堆叠纳米片构成的沟道，从而实现了更好的静电控制、更低的电压阈值和更高的效率。
其次，该芯片采用了三星新的扇出型晶圆级封装（FOWLP）技术。这项技术通过用晶圆级方法取代传统的基板封装，实现了更小的整体尺寸，允许直接连接到硅片，从而生产出更薄、更高效的芯片。简而言之，这种方法允许将输入/输出端子放置在半导体芯片外部，并将其集成在硅晶圆上，而非传统的印刷电路板（PCB）上。
第三，Exynos 2600采用了一项创新的热路径模块（HPB）技术。这是一个与AP直接接触的铜基散热器，同时将DRAM移至侧面，使热阻改善高达30%。
综上所述，通过将其尖端的芯片制造节点与创新的封装技术和新型散热器相结合，三星终于攻克了在Exynos 2600之前一直困扰着每一代Exynos芯片的热节流问题。
