三星、SK海力士和美光现已进入“产能扩张”时间表，但预估表明，任何产能的增加都无法缓解消费者面临的内存短缺问题。内存制造商正迫切希望解决短缺问题，以确保不错过这一轮超级周期。
由于需求远超供应，内存短缺现已进入卖方主导阶段。鉴于人工智能领域的建设热潮，各公司正争先恐后地与美光等公司签订长期协议，同时，消费领域的需求并未放缓，这意味着供应商唯一的解决方案就是扩大生产。根据《华尔街日报》和韩国媒体的报道，内存制造商正以更激进的态度推进产能扩张，计划向新项目投入“数千亿”资金。
我们先谈谈美光，因为至少在纸面上，该公司拥有最大的资本投资计划。《华尔街日报》报道称，这家美国DRAM制造商计划在新项目上投入2000亿美元，其中包括在博伊西建设一个占地450英亩的园区。仅博伊西工厂，美光就计划建造美国最大的洁净室设施，虽然我们不清楚总产能，但据报道将有两座晶圆厂。根据60万平方英尺的洁净室面积，我们最好的估计是，仅博伊西工厂的产能就可能达到每月15万至20万片晶圆。这比美光目前全球总产能高出40%。
除了博伊西，美光在纽约的设施是该州有史以来最大的私人投资，规模高达1000亿美元，计划增加四个60万平方英尺的洁净室，由此带来的DRAM月产能增长可想而知。然而，这些承诺的关键在于何时能转化为实际、有用的生产。这正是有趣之处。博伊西晶圆厂（两座工厂）将在2027年下半年达到满负荷生产，而纽约项目将在2045年全面投产（包括四座工厂）。
《朝鲜商业》最近的一份报告称，韩国内存供应商正在推进其生产时间表，以“主动利用超级周期”。SK海力士计划在本月或下月开始其龙仁工厂的试运行。对于那些不了解的人来说，龙仁项目比美光正在进行的项目更具雄心。这家韩国芯片巨头计划在该基地总共投资850亿美元，龙仁的第一座晶圆厂将在2月至3月投产，早于原定的5月时间表。
与此同时，三星也在扩大其平泽P4工厂的计划，完成时间表已提前至2026年第四季度，而非明年第一季度。P4晶圆厂将提供每月10万至12万片晶圆的有效产能，这表明至少基于扩张计划，供应状况将在2027年得到显著改善。接下来，我们将讨论为何大部分新增产能不会在更大程度上惠及消费者。
在当今世界，DRAM在专注于人工智能的产品中的作用正在发生巨大变化，尤其是在推理方面。一个典型的例子是，传统上针对消费产品的标准LPDDR，现在正被英伟达（NVIDIA）的机架级产品大量采用。同样，鉴于智能体人工智能中内存带宽是一个关键瓶颈，制造商正竞相集成更先进的HBM技术、SOCAMM模块等，这表明上述DRAM产能的增加将直接满足人工智能领域不断增长的需求。
我们确实希望消费端的内存状况在未来能够缓解，但考虑到目前DRAM制造商从人工智能领域获益匪浅，当前及未来的大部分产能似乎将分配给该领域的建设。这意味着对于消费者而言，内存短缺问题不会很快放缓。
