M5 Pro和M5 Max最大的亮点之一，是传闻两款芯片组都将采用台积电（TSMC）的SoIC封装（小外形集成电路）和2.5D小芯片设计，这将使该公司能够以更低的成本大规模生产性能更强的SoC。一则新传闻几乎重复了相同的信息，谈论了新款Apple Silicon系列的优势，同时还提到M5 Pro和M5 Max都将具备略高的晶体管密度。
预计M5 Pro和M5 Max的新小芯片设计将允许独特的CPU和GPU配置，以实现更好的灵活性。
在微博上，用户定焦数码（Fixed-focus digital cameras）分享了关于苹果（Apple）即将推出的芯片组的各种更新信息，包括从InFO（集成扇出）技术向2.5D技术的转变，这将带来一系列好处。在最新的帖子中，该用户基本上总结了相同的优势，例如改进的散热、新的封装技术，唯一值得注意且此前未提及的补充是晶体管密度的增加。
不过，苹果（Apple）从未公布过M5的晶体管数量，因此无法知晓它是否与M4不同。幸运的是，M5 Pro和M5 Max比M4 Pro和M4 Max提供更高晶体管数量的唯一可靠证据，是苹果（Apple）从台积电（TSMC）的3nm N3E制程节点转向3nm N3P技术。
我们之前讨论过，高通（Qualcomm）可能不想像苹果（Apple）那样转向小芯片设计的一个原因，是由于多个小芯片相互通信会导致功耗增加。如果是这样，那是否也意味着M5 Pro和M5 Max的功耗会增加？
从逻辑上讲，这个假设是正确的，但如果我们看看苹果（Apple）在A19 Pro上的架构变化——该变化使得能效核心在功耗不变的情况下性能提升高达29%——同样的变化也可以应用于M5 Pro和M5 Max。
值得庆幸的是，我们无需等待太久就能获得这个难以捉摸的信息，因为同一位爆料者声称这些芯片组将在3月发布。不过，定焦数码（Fixed-focus digital cameras）的过往爆料记录并非最佳，因此目前我们对此传闻持保留态度。
