三星电子已正式启动其下一代HBM4内存的大规模生产和出货,该产品速度最高可达13 Gbps,容量最高48 GB。
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HBM4将成为下一代内存标准,被诸如英伟达的Vera Rubin和AMD的Instinct MI450系列等强大的数据中心芯片所采用。新标准带来的不仅仅是速度提升,其亮点如下:
10纳米级DRAM工艺技术(1c)
4纳米逻辑工艺
11.7-13.0 Gbps引脚速度
每堆栈3.3 TB/s带宽
12层堆叠的HBM4,容量24-36 GB
16层堆叠的HBM4,容量48 GB
2048引脚输入/输出
能效提升40%
与HBM3E相比,耐热性提升10%
与HBM3E相比,散热能力提升30%
HBM4现已大规模生产及出货
HBM4E样品将于2026年下半年提供
作为先进内存技术的全球领导者,三星电子今日宣布已开始大规模生产其业界领先的HBM4,并向客户交付了商业产品。这一成就标志着行业首创,使三星在HBM4市场早期确立了领导地位。
通过积极采用其最先进的第六代10纳米级DRAM工艺(1c),该公司在量产伊始就实现了稳定的良率和业界领先的性能——所有这一切都无缝完成,无需任何额外的重新设计。
三星的HBM4提供稳定的11.7 Gbps处理速度,比行业标准8Gbps高出约46%,为HBM4性能树立了新标杆。这比其前代产品HBM3E的最高引脚速度9.6Gbps提升了1.22倍。HBM4的性能还可进一步提升至13Gbps,从而有效缓解随着人工智能模型规模持续扩大而加剧的数据瓶颈。
此外,与HBM3E相比,单堆栈的总内存带宽增加了2.7倍,最高可达3.3 TB/s。
通过12层堆叠技术,三星提供容量从24 GB到36GB不等的HBM4。公司还将利用16层堆叠技术,将产品容量扩展至最高48GB,以使其容量选项与未来客户的时间表保持一致。
为了解决因数据输入/输出引脚从1,024个增加到2,048个而带来的功耗和散热挑战,三星已将先进的低功耗设计解决方案集成到核心芯片中。与HBM3E相比,HBM4还通过利用低电压硅通孔技术和优化电源分配网络,实现了能效40%的提升,同时耐热性提高了10%,散热能力提高了30%。
通过为未来的数据中心环境带来卓越的性能、能效和高可靠性,三星的HBM4使客户能够实现最大的GPU吞吐量,并有效管理其总体拥有成本。
三星致力于通过其全面的制造资源推进其HBM路线图——包括业内最大的DRAM产能之一和专用基础设施——确保供应链的韧性,以满足预计将激增的HBM4需求。
公司晶圆代工和内存业务之间紧密集成的设计技术协同优化,使其能够确保最高标准的品质和良率。此外,在先进封装方面广泛的内部专业知识,有助于简化生产周期并缩短交付时间。
三星还计划基于与专注于下一代ASIC开发的全球GPU制造商和超大规模企业的密切讨论,扩大与关键合作伙伴的技术合作范围。
三星预计其2026年的HBM销售额将比2025年增长两倍以上,并正在积极扩大其HBM4产能。随着HBM4成功推向市场,HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始提供,而定制HBM样品将根据各自的规格于2027年开始送达客户手中。



