三星电子已正式启动其下一代HBM4内存的大规模生产和出货,该产品速度最高可达13 Gbps,容量最高48 GB

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HBM4将成为下一代内存标准,被诸如英伟达Vera RubinAMDInstinct MI450系列等强大的数据中心芯片所采用。新标准带来的不仅仅是速度提升,其亮点如下:

  • 10纳米级DRAM工艺技术(1c)

  • 4纳米逻辑工艺

  • 11.7-13.0 Gbps引脚速度

  • 每堆栈3.3 TB/s带宽

  • 12层堆叠HBM4,容量24-36 GB

  • 16层堆叠HBM4,容量48 GB

  • 2048引脚输入/输出

  • 能效提升40%

  • HBM3E相比,耐热性提升10%

  • HBM3E相比,散热能力提升30%

  • HBM4现已大规模生产及出货

  • HBM4E样品将于2026年下半年提供

作为先进内存技术的全球领导者,三星电子今日宣布已开始大规模生产其业界领先的HBM4,并向客户交付了商业产品。这一成就标志着行业首创,使三星在HBM4市场早期确立了领导地位。

通过积极采用其最先进的第六代10纳米级DRAM工艺(1c),该公司在量产伊始就实现了稳定的良率和业界领先的性能——所有这一切都无缝完成,无需任何额外的重新设计。

三星HBM4提供稳定的11.7 Gbps处理速度,比行业标准8Gbps高出约46%,为HBM4性能树立了新标杆。这比其前代产品HBM3E的最高引脚速度9.6Gbps提升了1.22倍。HBM4的性能还可进一步提升至13Gbps,从而有效缓解随着人工智能模型规模持续扩大而加剧的数据瓶颈。

此外,与HBM3E相比,单堆栈的总内存带宽增加了2.7倍,最高可达3.3 TB/s

通过12层堆叠技术,三星提供容量从24 GB36GB不等的HBM4。公司还将利用16层堆叠技术,将产品容量扩展至最高48GB,以使其容量选项与未来客户的时间表保持一致。

为了解决因数据输入/输出引脚从1,024个增加到2,048个而带来的功耗和散热挑战,三星已将先进的低功耗设计解决方案集成到核心芯片中。与HBM3E相比,HBM4还通过利用低电压硅通孔技术和优化电源分配网络,实现了能效40%的提升,同时耐热性提高了10%,散热能力提高了30%

通过为未来的数据中心环境带来卓越的性能、能效和高可靠性,三星HBM4使客户能够实现最大的GPU吞吐量,并有效管理其总体拥有成本。

三星致力于通过其全面的制造资源推进其HBM路线图——包括业内最大的DRAM产能之一和专用基础设施——确保供应链的韧性,以满足预计将激增的HBM4需求。

公司晶圆代工和内存业务之间紧密集成的设计技术协同优化,使其能够确保最高标准的品质和良率。此外,在先进封装方面广泛的内部专业知识,有助于简化生产周期并缩短交付时间。

三星还计划基于与专注于下一代ASIC开发的全球GPU制造商和超大规模企业的密切讨论,扩大与关键合作伙伴的技术合作范围。

三星预计其2026年HBM销售额将比2025年增长两倍以上,并正在积极扩大其HBM4产能。随着HBM4成功推向市场,HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始提供,而定制HBM样品将根据各自的规格于2027年开始送达客户手中。


文章标签: #三星电子 #HBM4 #内存技术 #人工智能 #数据中心

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