随着HBM4进入验证与量产阶段，高带宽内存市场的竞争格局正迎来动能转换，这一次，韩国的内存巨头似乎将成为焦点。
美光HBM4面临验证挑战，三星获得充足市场扩张空间
随着维拉·鲁宾（Vera Rubin）和Instinct MI400系列的推出，各大芯片制造商已将重心转向集成HBM4。这一技术飞跃将逻辑芯片与内存整合进单一封装，能带来更高的性能收益。具体技术细节我们不做深入探讨。但从行业视角看，主要由SK海力士（SK hynix）、美光（Micron） 和三星（Samsung） 占据的HBM市场份额，预计将发生显著变化。有报道指出，在HBM4这一代产品上，韩国内存供应商将获得更广泛的采用，而美光的市场份额据传可能降至0%。
围绕美光在HBM领域的未来存在诸多不确定性，因为SemiAnalysis声称其HBM4将不会被维拉·鲁宾系列采用。在得出任何结论之前，理解背景至关重要，而这也是许多市场参与者所忽略的。这家美国最大的DRAM制造商“暂时”退出HBM4竞赛的主要原因，是其内部的HBM4基础芯片在客户验证、引脚速度和代工厂逻辑芯片的精度方面遇到了问题。
深入细节来看，美光选择内部设计HBM4的DRAM和基础芯片，旨在降低成本并加强对供应链的控制。与拥有自家逻辑芯片代工厂的三星，以及与台积电（TSMC） 等伙伴合作的SK海力士相比，美光选择了一条风险更高的路线，但目前看来并未取得有利结果。由于美光不愿为基础芯片转向更先进的制程节点，这导致了散热挑战，更重要的是，其引脚速度也低于其他可选方案。
据报道，美光正着眼于在2026年第二季度重新设计基础芯片并调整PDN和PHY元件后，参加英伟达的资格测试。但由于维拉·鲁宾已进入“全面量产”阶段，三星和SK海力士此次占据了先机。因此，多方预测HBM市场份额将在内存公司间发生转移。在所有这些预估中，可以确定的是美光的影响力将下降，从而为三星的增长提供了空间。
SK海力士将成为英伟达维拉·鲁宾HBM4集成的最大受益者，预计其在这一代产品中的市场份额将超过50%。同样，三星率先达到了英伟达对HBM4的引脚速度要求，因此据估计，根据美光验证阶段的进展，这家韩国巨头将获得20%至30%的市场份额。还需注意的是，尽管美光的HBM业务将出现下滑，但其通用DRAM产品需求旺盛，特别是将受益于SOCAMM的采用。
考虑到三星在HBM3上的延迟，看到该公司重返主流市场确实引人关注。而对于美光而言，在由维拉·鲁宾和MI400系列主导的HBM4盛宴上，它似乎将要姗姗来迟了。
