中国的长鑫存储（CXMT）正在扩大其在高带宽内存（HBM）市场的布局，旨在利用当前的人工智能热潮。据报道，该公司正计划将很大一部分动态随机存取存储器（DRAM）产能转向HBM。
长鑫存储将产能转向HBM，确实对“更便宜”的消费级内存这一构想构成了威胁。鉴于DRAM行业近年来竞争日趋激烈，这为长鑫存储等中国内存制造商开辟了新的机遇。近期一个比较有趣的话题是，中国的DRAM供应商将“以某种方式”把游戏玩家从持续的内存短缺中解救出来，但实际情况可能并非如此。根据韩国媒体《MK》的一份新报告，长鑫存储正寻求从DRAM需求中获益，并计划将其总产量的20%（约合6万片晶圆）分配给HBM3。
据报道，中国人工智能市场对HBM的需求巨大，尤其是该地区无法获得韩国内存制造商的解决方案。在相关报道中我们曾讨论过，对于华为而言，扩大人工智能芯片生产的最大瓶颈实际上是HBM，而非半导体本身，因为这家芯片巨头依赖的是出口管制前从三星（Samsung）积累的库存。
中国的内存巨头正试图缩小在HBM市场上的差距，但长鑫存储的HBM3解决方案尚未进入主流市场。当然，对中国产HBM3的主要担忧在于良率表现，因为在无法获得极紫外光刻（EUV）技术的情况下，多重曝光是目前长鑫存储唯一的选择。然而，考虑到中国HBM产业的现状，长鑫存储的HBM3技术将是一个重大突破，可能使华为能够扩大其昇腾（Ascend）芯片的生产规模。
据报道，长鑫存储也正在与全球个人电脑制造商进行洽谈，因为其DRAM产能是各公司希望获取的资产。目前，谈判尚未超出验证阶段，但如果长鑫存储在HBM生产上取得突破，我们可能会看到其将很大一部分DRAM产能分配于此。再次强调，对于游戏玩家来说，以“低廉”价格采购中国内存的想法可能岌岌可危。
