三星的热传导块（HPB）目前应用于Exynos 2600，是一项出色的设计，有助于降低温度并将热阻提升16%。有报道称其他芯片制造商也将在其SoC中采用这项技术，而最新传闻称，高通（Qualcomm）将在今年晚些时候推出的骁龙8 Elite Gen 6 Pro和骁龙8 Elite Gen 6中应用该技术。
鉴于骁龙8 Elite Gen 5已达到的高时钟频率，被动散热方案（如均热板）的热限制已接近极限，需要更先进的解决方案来应对不断上升的温度。当然，台积电（TSMC）的2纳米制程会有所帮助，但当各公司为了在竞争中取得优势而追求激进的时钟频率时，改进的制程工艺所能做的也有限。
此前已有传闻称，高通正在测试其骁龙8 Elite Gen 6 Pro，目标时钟频率达到5.00GHz，这暗示HPB技术可能目前正处于测试阶段。
为让读者快速了解，HPB本质上是一个铜基散热片，直接放置在硅芯片上，而DRAM芯片则放置在其旁边。在旧的芯片组设计中，DRAM直接放置在SoC顶部，形成了一个热量陷阱，使芯片组几乎没有散热空间，迫使外部的均热板和石墨片承担主要的散热任务。由于铜是优良的热导体，芯片组的温度很可能会因此降低。
在微博上，爆料者Fixed-focus digital cameras再次发帖，声称骁龙8 Elite Gen 6 Pro和骁龙8 Elite Gen 6将配备HPB。早些时候，同一位爆料者曾表示，高通正在测试其高端的2纳米芯片，目标是在性能核心上实现至少5.00GHz的时钟频率。在受控环境中，没有功耗或热量的限制，骁龙8 Elite Gen 6 Pro很可能无需复杂的冷却方案就能达到这些频率。
然而，将这样的芯片放入智能手机内部这样紧凑的空间时，情况会完全相反，这正是热传导块（HPB）技术发挥作用的地方。目前，高通必须采用某种形式的先进散热方案，我们认为类似的解决方案本应应用于骁龙8 Elite Gen 5。
毕竟，后者虽然成功超越了A19 Pro，但在Geekbench 6测试中，高通的旗舰SoC需要多消耗61%的功耗才能实现这一壮举。我们可以肯定地说，这家位于圣地亚哥的公司将对骁龙8 Elite Gen 6 Pro和骁龙8 Elite Gen 6尝试同样激进的功耗策略，这使得加入HPB变得更加必要。
