英特尔最初是一家内存供应商。个人电脑行业正面临多年来，甚至可能是数十年来最严峻的内存短缺。因此，英特尔重返个人电脑内存领域似乎合情合理，对吧？
某种程度上是的。英特尔本周表示，它确实正在与一家名为Saimemory的软银支持的初创公司合作，开发一种名为Z轴内存（Z-Angle Memory，简称ZAM）的新内存技术。这与其说是一种新型内存，不如说是一种新的内存构建方式，而且对于关注英特尔的人来说，这种方式应该并不陌生。
顾名思义，ZAM与“Z轴高度”相关，这是科技界描述各种物体厚度的方式。ZAM是一种将RAM（随机存取存储器）垂直堆叠在一起的方法，从而为任何需要DRAM（动态随机存取存储器）的设备——从笔记本电脑到服务器——提高可用内存密度。其目标是通过英特尔所称的下一代DRAM键合技术（Next-Generation DRAM Bonding，简称NGDB），降低功耗并增加给定体积内的内存容量。
它也可能作为高带宽内存（HBM）的一种高带宽替代方案。AMD自2015年起开始在其Radeon GPU芯片中使用HBM。高速内存也是AI服务器的关键构建模块。
尽管英特尔尚未详细说明NGDB的具体能力，但该公司开发了名为Foveros的技术，并于2018年首次宣布。Foveros技术扩展了英特尔的EMIB技术，使其能够垂直堆叠逻辑芯片，或将内存安装在逻辑芯片之上。如今，在这项新事业中，英特尔正在将内存堆叠在内存之上。根据一份新闻稿，Saimemory的贡献建立在由美国能源部和国家核安全管理局通过桑迪亚国家实验室、劳伦斯利弗莫尔国家实验室和洛斯阿拉莫斯国家实验室管理的先进内存技术研发计划所支持的基础性工作之上。
Saimemory将负责产品的商业化（销售），而英特尔将提供技术支持。该公司的制造业务将于本季度启动，原型产品计划在2027年推出。路线图要求ZAM在2030年正式开始销售。
英特尔成立于1968年，最初是一家内存公司，生产SRAM和DRAM。尽管它创造了第一款微处理器——4004，但公司在整个20世纪70年代都销售DRAM，之后才转型成为微处理器供应商。然而，鉴于AI超大规模计算公司正在尽可能多地抢购内存和存储，懂得如何尽可能高效地利用现有内存资源或许并非一个坏主意。毕竟，这场严重的内存短缺可能会持续数年。
