英特尔目前正寻求通过与软银（SoftBank）的一家子公司合作，推出名为“ZAM”的新型内存技术，以期从当前持续旺盛的DRAM需求中获利。
随着今年人工智能基础设施的建设达到高峰，在超大规模数据中心和芯片制造商的推动下，DRAM需求出现了巨大增长。更重要的是，鉴于全球内存供应商数量有限，目前供应链瓶颈问题十分突出，这凸显了新竞争者进入市场的必要性。据报道，英特尔正计划以新的角度切入内存业务。据称，这家蓝色巨头将与软银旗下的Saimemory公司合作，开发一种名为Z角度内存（Z-Angle Memory，简称ZAM）的新标准。
据报道，ZAM内存技术的开发工作始于美国能源部（DoE）发起的先进内存技术（AMT）计划，在此期间，英特尔展示了其“下一代”DRAM键合技术。虽然软银的新闻稿并未具体讨论Z角度内存的预期定位，但根据我们对英特尔DRAM键合技术的了解，ZAM很可能采用交错互连拓扑结构，在芯片堆叠内部以对角线方式布线连接，而非垂直贯穿。
英特尔官员关于下一代DRAM键合的评论指出：“标准内存架构无法满足人工智能的需求。下一代DRAM键合定义了一种全新的方法，将加速我们迈入下一个十年。我们正在重新思考DRAM的组织方式，以从根本上推进计算机系统架构，旨在实现数量级的性能提升，并将创新融入行业标准。”
通过“Z角度”方法，英特尔将有效利用硅片面积的很大一部分用于存储单元，从而实现更高的密度和更低的热阻。根据DRAM键合技术可能呈现的形态，我们可能会看到ZAM采用铜-铜混合键合技术，这种技术能实现更高效的层间融合，形成一个“类单晶”的硅块，而非独立的堆叠。由于据说ZAM将采用无电容设计，我们将看到英特尔使用其嵌入式多芯片互连桥接（EMIB）技术将内存连接到AI芯片。
软银与英特尔在ZAM上的合作，最终也将使软银拥有内存堆叠的所有权。我们可能会看到该技术首先应用于软银的定制ASIC产品线，例如伊邪那岐（Izanagi）系列，从而使该公司能更好地控制架构布局。虽然目前ZAM相较于HBM的具体性能提升数据尚不明确，但Z角度方法为内存提供了更好的能效和更高的密度，最终能够实现更高层数的堆叠。以下是HBM与ZAM的潜在对比：
功耗降低40-50%
通过Z角度互连简化制造流程
每芯片存储容量更高（最高可达512 GB）
这并非英特尔首次涉足DRAM领域；该公司曾拥有专门的DRAM业务，但由于日本厂商竞争导致市场份额下降，于1985年退出了该市场。然而，鉴于内存目前为各公司创造了如此重大的机遇，观察英特尔的ZAM能否产生影响将十分有趣，而一个有效的方法就是说服像英伟达（NVIDIA）这样的行业领导者集成该技术。
