过去几周，英特尔引发了相当多的讨论，因为外界猜测苹果可能在某些M系列处理器和非Pro版iPhone芯片上重新采用这家芯片制造商的工艺。然而，行业内部人士的新观点在很大程度上排除了苹果iPhone芯片采用英特尔尖端制程节点的可能性。
采用英特尔先进制程节点制造的芯片将面临散热能力下降的问题，这使得苹果的iPhone芯片无法利用上述节点。
近几周，广发证券和DigiTimes均披露，苹果可能为其预计在2027年出货的最低端M系列芯片，以及2028年的非Pro版iPhone芯片，选择英特尔的18A-P制程。广发证券还进一步指出，苹果预计在2028年推出的定制ASIC将采用英特尔的EMIB封装。
同样地，我们最近注意到，苹果已经与英特尔签署了保密协议，并获取了其先进18A-P制程的PDK样品用于评估。需要注意的是，英特尔的18A-P制程是其首个支持Foveros Direct 3D混合键合的节点，该技术允许通过硅通孔堆叠多个芯粒。
然而，现在一些行业内部人士在SemiWiki论坛上发表评论，给英特尔制造苹果iPhone芯片的希望泼了冷水。这一悲观论调的核心，在于该芯片制造商为其18A和14A节点全力押注背面供电（BSPD）这一命运多舛的决定。
基本上，与台积电在其整体产品组合中提供部分带BSPD、部分不带BSPD的节点不同，英特尔在其尖端的18A和14A节点上全面采用了BSPD。
当然，BSPD确实能带来一些性能提升，因为芯片通过背面更短、更厚的金属路径供电，降低了电压降，允许更高、更稳定的工作频率，同时释放了正面的布线通道，从而可以提高晶体管密度或减少拥塞和导线长度。
然而，对于移动芯片而言，这种方法带来的性能提升相当有限。而且，这种方法会导致更严重的自热效应，需要对芯片进行额外的冷却。事实上，为了在热点区域达到相同的芯片温度，采用BSPD所需的散热器必须“保持大约低20摄氏度（因为垂直方向的热扩散效果不佳，而横向更差，现在没有了厚的硅衬底），这在许多依赖风冷或有最高允许外壳温度限制的使用场景中根本不可能实现。”
由于这些棘手的热问题，行业内部人士认为，英特尔在短期内“毫无机会”获得制造苹果iPhone芯片的订单。当然，M系列处理器或许仍有可能。
