美光科技（Micron Technology）本周宣布，已开始在新加坡建设一座新的先进晶圆制造厂。该工厂将耗时超过10年才能完全建成，总投资约240亿美元。新工厂将生产3D NAND闪存，初步晶圆产出预计在2028年下半年开始。
这座名为Fab 10B的新工厂，选址于美光在新加坡北岸晶圆厂园区的现有3D NAND制造基地。建成后，将提供高达70万平方英尺的无尘室空间。作为对比，美光现有的Fab 10A和Fab 10X的无尘室总面积约为50万平方英尺。这意味着，新工厂将使美光在新加坡的3D NAND产能增加一倍以上。
美光科技全球运营执行副总裁马尼什·巴蒂亚（Manish Bhatia）表示：“这项投资彰显了美光将新加坡作为其全球制造网络重要枢纽的长期承诺，它将增强供应链韧性，并培育一个充满活力的创新生态系统。”
新设施将是新加坡首座双层晶圆厂。这种设计使美光能够分阶段进行建设，而无需扩大工厂的实际占地面积，从而大大简化了建设过程，尽管其建筑结构会更为复杂。
Fab 10B将进行专门配置，以支持多种下一代3D NAND制造技术，包括拥有超过500层有源层的制程节点。因此，预计它将配备最先进的制造设备。除了3D NAND的量产，新设施还将用于研发目的，这将极大简化工艺集成和产品量产爬坡过程。此外，新工厂还将使美光能够深化与该地区学术和产业研究伙伴的合作。
美光表示，新工厂将专注于为人工智能和数据中心应用生产高容量3D NAND器件，因为公司认为这些应用是其未来的主要增长引擎。不过，值得注意的是，如果未来市场发生变化，该工厂也完全有能力生产所有类型的3D NAND器件。当前的AI热潮能否持续到Fab 10B完全投入运营的10年之后尚不确定，因此，面对半导体需求典型的周期性波动，这种多功能性显得尤为重要。
除了在新加坡生产3D NAND，美光还在该国建设一座HBM（高带宽内存）组装厂。该HBM封装业务预计将在2027年对美光的HBM产量做出实质性贡献。
从就业角度来看，这座新的3D NAND晶圆厂预计将创造约1600个工作岗位，主要集中在工厂工程和制造运营领域。加上HBM封装设施相关的约1400个职位，美光当前在新加坡的扩张计划总计将带来约3000个新工作岗位。
