将美国打造为先进半导体制造前沿的计划正在推进，据报道，三星将于3月在其泰勒工厂开始极紫外光刻设备的试运行。此前有消息称，该公司已组建专门团队，致力于实现设备引进与安装全过程的平稳过渡。根据最新消息，这家韩国巨头距离在美国本土量产下一代2纳米全环绕栅极晶圆的目标又近了一步。
在泰勒工厂成功启动运营后不久，三星计划未来在当地建立10座工厂，并已获得充足的土地以实现其目标。
据《韩国经济日报》报道，位于德克萨斯州的泰勒一号工厂将作为安装、蚀刻和沉积关键极紫外光刻设备的试验场，预计全面量产将于2026年下半年开始。报道未提及三星是否会在此工厂开始生产Exynos 2600或任何其他片上系统。不过，报道提到，得益于两家公司签署的165亿美元协议，特斯拉的自动驾驶芯片AI5和AI6将在此生产。
三星还预计将向当地政府为一号工厂申请临时占用许可证。这是确保泰勒设施符合消防安全等要求的强制性行政程序。为加快工厂建设，该公司已在现场部署了7000名工人。完工后，一栋六层建筑将容纳1000名员工。仅从占地面积比较，三星泰勒工厂占地485万平方米，大于该代工巨头在平泽和华城的工厂。
采购阿斯麦的极紫外光刻设备成本高昂，但若三星希望以可观的良率量产2纳米全环绕栅极晶圆，这是必要步骤。目前其尖端光刻技术的良率估计为50%，这些采购对公司至关重要，因其目标是在2027年实现代工业务盈利。然而，每台极紫外光刻设备价格约为5000亿韩元，这笔财务支出相当巨大，尤其是当三星在2025年第三和第四季度仍面临6.8亿美元亏损的情况下。
所幸，三星具备远见，已在其泰勒厂区确保了充足空间，可建设多达10座工厂，借助阿斯麦的极紫外光刻设备提升良率似乎是正确的步骤。此前，该地点曾是4纳米生产的重点，但由于台积电不愿将其先进技术引入美国本土，三星看到了在该国的机遇，据报道设定了5万片晶圆的初步量产目标。
