骁龙X2至尊旗舰版与骁龙X2旗舰版作为高通首批专为笔记本电脑设计的3纳米芯片组发布，旨在为笔记本带来无与伦比的性能。其顶级18核系统级芯片的单核或双核频率最高可达5.00GHz。官方发布中一个有趣的点是，这家圣地亚哥公司并未透露其芯片组采用的是台积电的3纳米N3E工艺还是更新的3纳米N3P节点。
然而，最新报告带来了一个意外惊喜：骁龙X2至尊旗舰版采用了3纳米N3X工艺制造。这项光刻技术的开发初衷是实现卓越性能，但这也可能导致一些我们将在下文中讨论的妥协。
高通为骁龙X2至尊旗舰版优先考虑了最佳性能，但这并不必然意味着最佳能效，而台积电的3纳米N3X工艺并非以能效著称。来自Moor Insights & Strategy的深度分析揭示了骁龙X2至尊旗舰版一些有趣的规格。此前我们报道过，高通这款最新最强的系统级芯片采用了系统级封装技术，该技术整合了内存、存储等多个电路和组件，形成一个单一封装。
这与苹果的统一内存架构类似，内存芯片靠近CPU核心，确保了更高的内存带宽。这就是为什么骁龙X2至尊旗舰版的最强型号能达到228GB/s的内存带宽，高于M5，但低于M4 Pro的273GB/s内存带宽。
关于制造工艺，报告指出骁龙X2至尊旗舰版采用了3纳米N3X节点，这使其成为首款脱离台积电3纳米N3P光刻工艺的商业芯片组。该芯片组还拥有310亿个晶体管，其高性能计算制造工艺相比3纳米N3P带来了5%的性能提升。
“从宏观层面审视该平台，高通的X2至尊旗舰版芯片代表了该公司为在这一代产品上实现最佳性能所付出的最大努力。例如，192位内存总线、128GB内存以及9523 MT/s的内存速率，共同提供了高达228 GB/s的内存带宽，确保了内存不会成为瓶颈。此外，该芯片基于台积电的N3X工艺节点制造，晶体管总数超过310亿个。”
骁龙X2至尊旗舰版的设计工作电压也高于1.0V，以最大限度地提高时钟速度和性能，但代价是与3纳米N3P相比，其密度和能效较低。遗憾的是，尽管3纳米N3X工艺有其优势，但在Cinebench 2024的单核和多核基准测试中，高通的这款顶级芯片仍然落后于苹果的M4 Max。
骁龙X2至尊旗舰版在无限制运行时功耗可超过100W阈值，在特定笔记本机箱中可持续功耗为40W，因此其测试结果令人失望是令人惊讶的。骁龙X2至尊旗舰版另一个表现不佳的领域是GPU部分，在3DMark Steel Nomad Light Unlimited和3DMark Solar Bar Unlimited等图形密集型综合基准测试中，M4 Pro的速度要快出高达45%。
截至目前，高通转向3纳米N3X工艺尚未带来公司所期望的回报，但我们仅窥见了少数几项基准测试，这些测试并未完全揭示骁龙X2至尊旗舰版的全部真相。希望未来能看到一些有趣的结果，敬请关注。
