台积电（TSMC）拥有两个版本的尖端2纳米制程。据报道，苹果（Apple）已为即将推出的A20和A20 Pro芯片，锁定了超过一半的初始N2版本产能。这给计划在2025年下半年分别推出其首批2纳米芯片组——骁龙8 Elite Gen 6和天玑9600的高通（Qualcomm）和联发科（MediaTek）留下的空间将所剩无几。
为了占据优势并确保获得足够的晶圆供应，据报道，这两家安卓SoC制造商都在采用台积电改进的2纳米‘N2P’节点，而非N2。然而，有传言称，这些公司做出转变不仅是为了确保供应充足而安心，也是为了能让骁龙8 Elite Gen 6和天玑9600达到其最高的CPU频率。
尽管2纳米 N2P技术相比N2仅能带来5%的性能提升，但骁龙8 Elite Gen 6和天玑9600需要抓住一切优势来超越苹果的A20和A20 Pro。
来自微博爆料者Fixed-focus digital cameras的最新传言有趣之处在于，此前他曾直接反驳了数码闲聊站（Digital Chat Station）关于高通和联发科将转向台积电2纳米 N2P制程的说法，而现在他在最新帖子中却采纳了这一信息。需要记住的是，在N2节点与其改进版本之间，仅有5%的性能提升，那么高通和联发科为何要为骁龙8 Elite和天玑9600费心转向更新的制造工艺呢？
最明显的原因是，台积电已表示N2P和N2之间的设计规则保持一致，这使得这家台湾半导体巨头的客户能够实现高度无缝的过渡。此外，微小的改进也能在让芯片组相对于A20和A20 Pro获得优势方面发挥很大作用。通过转向2纳米 N2P，骁龙8 Elite Gen 6和天玑9600都能实现更高的CPU频率，从而提升单线程和多线程性能。
改进的光刻技术将有助于骁龙8 Elite Gen 6和天玑9600缩小与苹果A20和A20 Pro之间的能效差距。
提醒一下，骁龙8 Elite Gen 5和A19 Pro采用了相同的3纳米‘N3P’光刻技术，但这里有一些你可能不知道的情况。高通当前的旗舰SoC需要在Geekbench 6测试中多消耗61%的功耗才能击败苹果的高端芯片，这对其能效产生了不利影响。在同样的比较中，天玑9500则显示出最差的“每瓦性能”。当然，有人可能会说，A19 Pro的四个能效核心在这方面起到了关键作用，因为苹果重新设计了架构，使其在不增加功耗的情况下，相比A18 Pro能带来高达29%的性能提升。
尽管N2P和N2之间5%的性能提升不会太大，但这应该能缩小明年芯片组的能效差距。得益于对LPDDR6 RAM和UFS 5.0存储的支持，骁龙8 Elite Gen 6和天玑9600也能在带宽上获得优于A20和A20 Pro的优势。但我们不能仅仅依赖纸面规格和优势，因此读者必须对此传言持保留态度，并等待更多后续消息。
