三星在为其Exynos系列芯片组引入新封装技术方面经验丰富,这些技术有助于提升性能、提高能效并降低发热。该公司最初将“扇出型晶圆级封装”(FOWLP)技术引入Exynos 2400,使其成为首款采用该技术的芯片,随后又在首款2纳米全环绕栅极(GAA)系统级芯片——Exynos 2600上应用了“热通道阻断”(HPB)技术。如今,最新报告指出,这家韩国巨头正在开发一种名为“并排”(SbS)的新结构,该结构将应用于未来的Exynos版本。以下是它与以往技术的不同之处及其可能带来的好处。

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采用“并排”封装后,三星新的Exynos系统级芯片可以将其芯片裸片水平放置,旁边是DRAM,上方再覆以热通道阻断层。通过将芯片组裸片和DRAM并排放置,并在两个组件顶部覆盖HPB,热量可以更快地被这两个组件散发出去,从而实现更好的温度控制。另一个优势在于,芯片组封装的厚度得以减少。这意味着,如果三星未来决定以不同名称重振其Galaxy S26 Edge,它就可以利用SbS封装技术。

此外,那些希望推出更轻薄智能手机的公司也可以选择这种封装,前提是他们通过订购三星的2纳米全环绕栅极(GAA)制程来满足三星的要求。此前有报道称,这家韩国科技巨头正在为即将推出的Galaxy Z Flip 8测试Exynos 2600,因此SbS封装不太可能在这款翻盖式折叠手机上首次亮相。但如前所述,由于这种封装有利于打造更轻薄形态的智能手机,公司可能会改变计划。

目前,尚未有Exynos 2700正在开发的确认消息,但后者很有可能会成为SbS封装的应用对象。至于Exynos 2800——它可能是三星首款搭载完全自主研发GPU的芯片,我们强烈感觉这款下一代芯片组可能会采用新的封装技术。毕竟,预计该芯片的应用范围将不止于智能手机,这使得采用SbS封装的效果会更加显著。


文章标签: #三星 #Exynos #芯片封装 #散热技术 #2纳米

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