台积电（TSMC）已悄然宣布，其N2（2纳米级）制程工艺的芯片已开始量产。 公司并未发布正式新闻稿来通知生产启动，但此前已多次表示N2将在第四季度如期进入量产，如今计划已达成。台积电官网的2纳米技术专页上写道：“台积电的2纳米（N2）技术已按计划于2025年第四季度开始量产。”
从改进角度来看，与N3E相比，对于包含逻辑、模拟和SRAM的混合设计，N2旨在实现在相同功耗下性能提升10%至15%，在相同性能下功耗降低25%至30%，晶体管密度提升15%。对于纯逻辑设计，晶体管密度比N3E高出高达20%。
台积电的N2是该公司首个采用环绕栅极（GAA）纳米片晶体管的工艺节点，栅极完全包围由堆叠水平纳米片形成的沟道。这种结构改善了静电控制，减少了漏电，并能在不牺牲性能或能效的情况下实现更小的晶体管，最终提高了晶体管密度。此外，N2还在供电网络中增加了超高性能金属-绝缘体-金属（SHPMIM）电容器。其电容密度是此前SHDMIM设计的两倍以上，并将薄层电阻和通孔电阻降低了50%，从而提高了电源稳定性、性能和整体能效。
台积电首席执行官魏哲家（C.C. Wei） 在公司10月的财报电话会议上表示：“N2在本季度晚些时候的量产进展顺利，良率良好。我们预计，在智能手机和高性能计算（HPC）人工智能应用的双重推动下，2026年的产能爬坡将更快。”
有趣的是，公司开始在其位于台湾高雄附近的Fab 22厂生产2纳米级芯片。此前外界预计台积电将在靠近其全球新研发中心（N2系列制造技术在此研发）的Fab 20厂（位于台湾新竹附近）开始提升N2产量。Fab 20的量产可能会稍晚一些开始。
台积电将在全新的晶圆厂提升基于N2的芯片量产，这通常颇具挑战。值得注意的是，公司将在新晶圆厂同时提升智能手机以及更大的“人工智能”和“高性能计算”设计的产量（注：高性能计算是一个宽泛术语，涵盖了从游戏机SoC一直到重型服务器CPU的一切），这将增加一些额外的复杂性。通常，台积电会先以移动和小型消费设计来爬升新节点的产能。
同时提升两个N2晶圆厂的产能，是由于众多台积电合作伙伴对这项新工艺技术表现出浓厚兴趣，因此公司需要为所有客户提供足够的产能。此外，从2026年底开始，这两座晶圆厂都将用于制造N2P（N2的性能增强版）和A16（采用背面供电超级轨道的N2P版本，面向复杂的人工智能和高性能计算处理器）芯片。
魏哲家补充道：“通过我们持续增强的战略，我们还将在N2系列基础上推出N2P。N2P在N2之上进一步提升了性能和功耗优势，计划于2026年下半年量产。我们还推出了具备业界领先超级轨道的A16。A16最适合那些信号布线复杂、供电网络密集的特定高性能计算产品。量产计划于2026年下半年如期进行。”
