上周，韩国检方对多名涉案人员提起诉讼，指控一名前三星工程师将先进的DRAM制造工艺数据泄露给中国的长鑫存储技术有限公司（ChangXin Memory Technologies，简称CXMT）。此案揭示了泄露的商业机密可能如何加速了中国进军10纳米级内存领域的步伐。现在，据披露（通过SemiAnalysis），涉案工程师据称在长达五年的手写笔记中记录了详细的关键制造步骤。
这位前三星工程师因涉嫌在长鑫存储于2024年（比预期提前两年）开始量产同类内存之前，传递有关三星10纳米以下DRAM工艺的信息，而因违反《防止不正当竞争法》和《工业技术保护法》被捕。这可能给三星和韩国造成了数万亿韩元的损失。与此同时，凭借其先进的内存产品，长鑫存储预计将占据高达15%的市场份额。
这名前三星电子工程师被指控通过手动在手写笔记中记录敏感的工艺数据，绕过了内部的数字安全系统。据信，这些笔记涵盖了超过600个独立的制造步骤，包括关键光刻和沉积阶段使用的详细参数，如气体流量比、反应器压力和光刻胶设置等。
据估计，三星在五年内投入了约1.6万亿韩元来开发其10纳米DRAM技术。核心指控是，长鑫存储能够利用窃取的工艺“配方”来校准其自身的生产设备，并根据工具集和材料的差异进行必要调整，从而绕过了大部分的学习曲线，并相应地节省了成本。这虽然不能完全消除验证工作的需求，但可能极大地减少了在先进制程上达到可接受良率所需的时间和成本。
因此，在过去几年中，长鑫存储已成为中国最先进的DRAM生产商，于2022年开始批量出货17纳米DRAM，并于2023年进入10纳米级生产。考虑到在没有尖端光刻工具的情况下缩小DRAM尺寸的技术难度，这一转变令许多人感到惊讶。检方认为，三星的商业机密在这一快速进展中发挥了直接作用，包括长鑫存储后续在HBM堆栈方面的工作。
尽管各公司在数字访问控制、监控和数据防泄漏系统上投入巨资，但手写笔记仍然难以追踪或审计。调查人员表示，被指控的工程师利用了这一漏洞，通过记忆和转录工艺流程来行事，而这实际上几乎无法有效监管。
