英特尔正试图在制程技术和先进产能方面追赶台积电，但在美国本土，这家芯片巨头依然占据着领先地位。据CNBC报道，英特尔的Fab 52工厂比台积电当前的Fab 21一期以及即将建成的Fab 21二期设施都更为先进，其产能甚至可与这两期设施的总和相媲美。
Fab 52旨在生产基于英特尔18A（约1.8纳米级）及更先进制程技术的芯片，这些技术采用了环绕栅极（GAA）RibbonFET晶体管和PowerVia背面供电网络。该工厂的产能为每周1万片晶圆启动，满负荷运行时相当于每月约4万片晶圆启动，以当今标准来看，这确实是一座规模非常庞大的晶圆厂。
目前，Fab 52已配备了四台ASML的Twinscan NXE低数值孔径极紫外光刻系统（据@IntelProMUltra观察），其中至少包括一台NXE:3800E——这是ASML最先进的低数值孔径极紫外光刻机，它借鉴了下一代高数值孔径极紫外光刻机的晶圆搬运系统、更快的晶圆台和光源，因此在30 mJ/cm²的曝光剂量下每小时可处理多达220片晶圆。该工厂还拥有三台NXE:3600D系统，在相同曝光剂量下每小时可处理160片晶圆。
总计，英特尔位于亚利桑那州奥科蒂洛的“硅沙漠”园区将至少有15台极紫外光刻机。然而，我们只能推测其中将有多少台是高数值孔径极紫外光刻机，以及有多少台将安装在即将到来的Fab 62中。无论如何，“至少”这个词意味着英特尔在其亚利桑那州的工厂有足够空间安装超过15台极紫外光刻机。
与台积电的Fab 21一期（生产基于其N4和N5制程技术的芯片）相比，英特尔的Fab 52可以在先进得多的制程节点（下至约1.8纳米级及更先进节点）上制造芯片，并且每月能处理的晶圆数量是前者的两倍。事实上，考虑到台积电倾向于建造产能约为每月2万片晶圆启动的工厂模块，即使台积电完成其支持N3制程的Fab 21二期建设，当这三座工厂都完全达产时，英特尔的Fab 52在亚利桑那州仍将与台积电的设施持平，甚至略微领先。
实际上，鉴于英特尔的18A生产节点比台积电的N4或N4P要复杂得多，单纯比较产能并不完全准确，因为英特尔的工厂需要完成更多工作来制造该节点（即使使用了更先进的Twinscan NXE:3800B光刻机）。
然而，关于英特尔Fab 52的产能爬坡计划，有一个需要注意的地方。目前，该厂正在使用18A技术生产英特尔的Panther Lake处理器，该技术的良率曲线仍处于早期阶段。英特尔预计18A的良率将在2027年初达到世界级水平。在此之前，英特尔不会将该节点上的CPU产量提升到某个水平之上，因此该工厂最初将不会被完全利用，其部分产能将保持闲置。相比之下，台积电在美国使用成熟的制程技术进行芯片生产爬坡，能够实现快速增产，并使工厂利用率迅速提升至接近100%。
*请注意，平均每月有超过四周，因此英特尔Fab 52在完全达产时的最大产能可能高于每月4万片晶圆启动，具体取决于计划性维护和非计划性停机等因素。
