韩国检方逮捕了10名据称将10纳米DRAM技术泄露给长鑫存储技术有限公司（ChangXin Memory Technologies，简称CXMT）的前三星员工。这10人被指控违反了《防止技术泄露及保护产业技术法》，即通常所说的《产业技术保护法》。其中五人，包括一名前高管，是关键研发人员。其余人员则包括负责开发和研究的部门负责人。据《亚洲商业日报》报道，检方表示，自长鑫存储于2016年成立后，便从当时唯一能大规模生产10纳米DRAM的三星电子招募高管和关键人员。
此次技术泄露使得长鑫存储得以在2023年生产出中国首款10纳米DRAM。检方认为，这些被窃取的技术为这家中国公司在高带宽内存（HBM）领域的进展奠定了基础。据报道，长鑫存储已于2024年开始大规模生产HBM2内存，预计将占据高达15%的市场份额，这将给三星和韩国的国家经济造成数万亿韩元的损失。可以说，这种影响已经显现，三星电子去年的销售额下降了约5万亿韩元。
报道指出，一名前三星高管A某负责为长鑫存储进行10纳米DRAM技术相关工作，而另一名参与该技术研发的关键员工B某则涉嫌复制了DRAM制造相关的信息。《朝鲜日报》称，“B某”为避免被发现，手动抄录了12页信息，尤其是考虑到半导体公司对其信息保护极为严密，从电脑复制文件或用智能手机拍照都可能导致被抓。
这并非韩国科技公司员工首次因窃取信息提供给中国公司而被捕。今年早些时候，一名前SK海力士员工在登机前往中国前被捕；另一名工程师因试图向华为出售信息被判处18个月监禁。去年，还有两名前三星高管因涉嫌窃取专有信息，并利用这些信息在中国创办自己的芯片工厂而被捕。
然而，最近的这起案件涉及的人数比之前的案例更多。据报道，该团伙利用空壳公司转移信息，并不断更换办公地点以逃避侦查。此外，检方表示，该团伙在“假设国家情报院就在附近”的前提下运作，甚至在紧急通讯中使用了加密技术。
