三星的前员工们正迅速转变为技术泄密者，他们通过一系列精心策划的知识产权泄露事件，使中国的长鑫存储技术有限公司（CXMT）得以获取关键的半导体技术。
一个典型的案例是，就在一名前三星员工因向中国泄露18纳米DRAM机密而被判处“史上最重”刑事处罚数月之后，多名前三星高管和员工如今又被指控向中国的CXMT泄露了10纳米DRAM技术。
据韩国媒体The Elec报道，首尔中央地方检察厅信息科技犯罪调查部现已逮捕了中国长鑫存储技术有限公司（CXMT）的一名现任总监，因其违反了韩国《工业技术保护法》的相关规定。
至关重要的是，这位CXMT总监曾为三星员工，据称他在开发CXMT的10纳米DRAM技术中扮演了关键角色。该部门还逮捕了另外4名目前在CXMT工作的人员。
检方指控称，CXMT制定了一项详尽的计划，通过挖角关键人才来快速启动其10纳米DRAM工艺。需要注意的是，与传统芯片制造中使用的10纳米节点不同，10纳米DRAM工艺竞争非常激烈，SK海力士要到2024年底才开始其第六代10纳米DRAM工艺的量产。三星自身也投入了1.6万亿韩元（约合10.8亿美元），历时5年才开发出其10纳米DRAM技术。
韩国检方特别指出：
“CXMT作为中国首家也是唯一一家获得中国地方政府2.6万亿韩元投资的DRAM半导体公司，在其整个开发过程中，欺诈性地使用了全球顶尖的本国半导体核心技术。”
在调查过程中，检方发现，仅一名前三星员工就“泄露了数百道工艺步骤信息，并对信息进行了修正和验证”，这直接导致了中国在2023年首次成功量产DRAM。调查进一步显示，CXMT利用一家空壳公司来引诱和雇佣前三星员工。
根据检方最近的声明，另一名于2016年加入CXMT的前三星员工，向这家中国存储巨头泄露了大量手写的DRAM技术信息。
最终，检方估计，由于这些备受瞩目的泄密事件，韩国在竞争地位上遭受的损失已达数万亿韩元（数十亿美元）。
此前，2025年2月，韩国中央地方法院已判处三星的一名前团队经理7年监禁，因其向中国的CXMT泄露了与18纳米DRAM技术相关的商业秘密。
值得注意的是，CXMT是中国最大的存储半导体制造商，产品包括DDR5和HBM3等尖端产品。截至2025年底，该公司每月可生产多达28万片晶圆，约占全球DRAM产量的15%。
