担心台积电（TSMC）向美国扩张可能削弱中国台湾在半导体领域的领先地位，中国台湾当局正考虑制定一项新的出口规定，只允许这家全球头号晶圆代工厂出口比其最先进制程节点落后两代的技术。据中国台湾中央通讯社（CNA）报道，如果此举成真，可能会减缓台积电在美国的扩张步伐，因为该公司目前正依赖在那里积极建设先进晶圆厂。
这项新出口政策的核心是政府的“N-2”规则，即只允许在海外部署比中国台湾最先进制程落后两代的工艺技术。此前，中国台湾当局坚持“N-1”规则，允许台积电出口所有比最先进制程至少落后一代的技术。新框架要严格得多；根据对“代”的不同界定方式，这可能意味着台积电或许只能出口比其最佳技术落后两年甚至四年的制程节点。
根据这一方案，中国台湾“国家科学及技术委员会（NSTC）”副主委林法正（Lin Fa-cheng）表示，如果台积电在中国台湾本土开发出1.2纳米或1.4纳米级的制程工艺，那么只有其1.6纳米级的制程才有资格在海外使用。
目前，台积电位于亚利桑那州的Fab 21一期工厂能够生产基于N4/N5制程技术（属于同一代）的芯片。在中国台湾本土，台积电拥有多个已全面投产、能够生产3纳米级（N3B、N3E、N3P等）制程的晶圆厂，并且即将开始大规模生产基于其2纳米级N2制程节点的芯片。从形式上看，台积电的Fab 21一期工厂已经符合N-2规则。然而，一旦台积电在2027年于Fab 21二期工厂开始生产3纳米级技术的芯片，该工厂将不符合N2-2规则，因为从形式上讲，N3仅比N2/N2P/A16落后一代。不过，尽管A16是带有背面供电网络的N2P，但如果将A16视为一个全新的世代，那么Fab 21二期工厂将符合新的高科技出口框架。
林法正还强调，台积电大部分研发人力仍留在中国台湾，并指出公司的研发布局符合政府要求。实际上，这种工程师和科学家的集中确保了未来的制程开发仍扎根于中国台湾本土，即使该公司在海外建立制造产能和研发中心。林法正还强调，所有受雇于半导体行业的合格人员都受到监管监督，这种监督将知识产权和硬件的保护延伸至人力资本。
此外，中国台湾“经济部（MOEA）工业局”副局长周崇斌（Chou Yu-hsin）表示，台积电未来的任何美国投资都将在现行法律下接受审查，超过特定门槛的项目必须由“经济部投资审议委员会”进行审核。
