据《日经亚洲》报道，引述知情人士消息，台积电（TSMC）计划于明年夏天开始向其在亚利桑那州的Fab 21二期工厂迁入设备。报道称，如果计划顺利，台积电将在2026年第三季度（7月至9月）开始安装二期工厂的设备，目标是于2027年启动生产，这比原计划的2028年提前了数个季度。
根据台积电的信息，Fab 21二期工厂的建筑主体已于今年完工。在建筑及机电管道系统完成后，芯片制造商将开始安装电梯、暖通空调等内部基础设施。此阶段完成后，芯片生产商将进行环境认证，确保温度、压力、湿度等条件稳定，之后才会迁入实际的生产工具。
不同设备的安装和调试耗时从数小时到数天不等，但高端的深紫外光刻（DUV）和极紫外光刻（EUV）系统的安装调试时间远长于厂内其他设备。无论如何，首批设备的安装、协同调试到开始小批量量产仍需数月时间。尽管如此，台积电仍有机会在2027年于亚利桑那州开始使用其N3制程技术进行芯片量产，尽管初期产量有限。
一旦支持性设备和生产工具在2027年某个时间点安装完毕，该公司将能够开始使用N3技术大规模生产芯片，比原计划提前几个季度。台积电已于2025年4月开始在亚利桑那州建设具备N2/A16制程能力的Fab 21三期工厂。公司希望尽快完成该工厂建设，以同样提前在美国开始生产其2纳米和1.6纳米级芯片。
台积电首席执行官魏哲家（C.C. Wei）在10月的最新财报电话会议上表示：“得益于我们领先的美国客户以及美国联邦、州和市政府的强有力合作与支持，我们正持续加快在亚利桑那州的产能扩张。我们正在取得切实进展，并良好地执行计划。此外，鉴于客户对人工智能相关需求的强劲增长，我们正准备在亚利桑那州更快地升级至N2及更先进的制程技术。”
