中国的半导体产业可能已实现了一次最为重大的技术飞跃，有报道称该国已制造出首台国产极紫外光刻原型机。中国的极紫外光刻原型机预计将于2030年前完成芯片流片，其由阿斯麦旧型号机器的部件组装而成。
多年来，北京一直在推动极紫外光刻技术的突破，中芯国际等公司试图通过逆向工程和挖角人才来复制阿斯麦的技术。如今，路透社披露，多年的努力已为中国带来了回报。报道称，该国已开发出一台极紫外光刻原型机，据称该设备已完全可运行，并能产生用于晶圆蚀刻的紫外光。然而，尽管这一突破看似乐观，中国仍然依赖阿斯麦的旧部件，但在如此短的时间内取得进展，据称令人震惊。
今年四月，阿斯麦首席执行官克里斯托夫·富凯（Christophe Fouquet）曾表示，中国需要“很多、很多年”才能开发出此类技术。但路透社首次报道的这台原型机的存在，表明中国实现半导体独立的时间可能比分析师预期的要早好几年。
尽管极紫外光刻机内部结构极为复杂，且我们仍不清楚中国工程师在其原型机上采用的具体技术，但报道指出，工程师们一直依赖来自阿斯麦旧型号机器的部件。更重要的是，这台机器尚未流片出任何芯片。然而，有消息人士称，中国可能在2030年前实现极紫外光刻技术的主流化，这一时间线远早于此前在讨论中国何时能在半导体竞赛中赶上美国时的预估。
随着人工智能热潮，中国对自建半导体产能的需求已大幅增长，华为等公司正通过与中芯国际合作建设工厂网络来争夺芯片产能。有趣的是，对高端芯片的追求在中芯国际的N+3工艺上也表现得十分明显，该工艺据称可与主流的5纳米工艺相媲美，但其发展正是由于中国面临的技术限制。目前，我们还需要更多地了解中国这台极紫外光刻机的运行情况，特别是其光源和其他参数，但这无疑是一项重大进展。
