华为最新推出的移动端芯片——麒麟9030近期备受瞩目。在美国多年来禁止向中国出口更先进的极紫外光刻技术（EUV）的背景下，这款芯片为华为海思（HiSilicon）和中国的中芯国际（SMIC）提供了一个绝佳平台，用以展示其技术实力。
华为刚刚发布了搭载麒麟9030和麒麟9030 Pro芯片的Mate 80和Mate X7智能手机。
标准的麒麟9030芯片配置如下：
8个ARMv8 CPU核心，支持12线程，其中主核频率为2.75GHz，性能核心频率为2.27GHz，能效核心频率为1.72GHz。
Maleoon 935 GPU。
同样地，麒麟9030 Pro芯片配置如下：
9个ARMv8 CPU核心，采用1+4+4核心配置，支持14线程，其中主核频率为2.75GHz，性能核心频率为2.27GHz，能效核心频率为1.72GHz。
Maleoon 935 GPU。
请注意，这些数据基于初步基准测试，据报告该芯片尚未发挥其全部潜力。
麒麟9030/Pro芯片正在测试基于深紫外光刻（DUV）技术的极限。目前，TechInsights已对华为Mate 80 Pro Max进行了拆解分析，并在此过程中研究了其麒麟9030系统级芯片。TechInsights确认，麒麟9030芯片基于中芯国际的N+3制造工艺，这似乎比其N+2第二代7纳米工艺有所提升。
即便如此，TechInsights并不认为中芯国际的N+3制造工艺真正等同于台积电（TSMC）、三星（Samsung）等的5纳米工艺。相反，该工艺处于7纳米和5纳米节点之间。
事实上，这家专注于半导体研究的公司认为，在麒麟9030芯片中发现的中芯国际N+3工艺，代表了对其现有7纳米节点的渐进式延伸，这是通过利用基于DUV的多重图案化和设计工艺协同优化（DTCO）技术实现的。
为了帮助可能不了解的读者，深紫外光刻（DUV）使用波长为193纳米的紫外光在硅晶圆上蚀刻图案。通过重复这些蚀刻步骤，基于DUV的多重图案化技术可以创建更复杂的电路。
同样，DTCO是一种先进技术，旨在同时优化芯片设计、制造工艺和良率管理，而不是以离散步骤的形式进行，以实现原本只有基于EUV的光刻技术才能达到的特征尺寸。
当DTCO与多重图案化结合使用时，其产生的流程旨在减少工艺变异和边缘放置误差（EPE）的影响，这些影响随着激进的DUV多重图案化进程而逐渐变得尖锐。
回到主题，TechInsights认为，麒麟9030的N+3制造工艺在鳍片间距（FP）、接触多晶硅间距（CPP）以及共同构成前端制程（FEOL）光刻的基本晶体管几何结构方面并没有太大改进，FEOL主要处理晶体管的制造。
相反，中芯国际的N+3工艺似乎主要依赖于后端制程（BEOL）光刻来实现渐进式的进步，BEOL处理的是晶体管之间的互连构建。
然而，这种方法存在相当大的风险，因为使用DUV技术缩放BEOL需要多个图案化步骤，这些步骤必须极其精确地对齐，否则良率会急剧下降。更重要的是，每个图案化步骤都会增加线粗糙度（通过未对准）和缺陷风险。
关键的是，麒麟9030表明，中芯国际正将重点放在通过DTCO实现更优越的设计规范性上，而不是试图缩小其光刻工艺，而DTCO的优化深度相对较浅。毕竟，从这类优化中能提取的改进是有限的。
中芯国际仍然可以通过先进封装技术提取可观的性能改进，但这些对于像麒麟9030这样专注于移动端的应用处理器（AP）来说重要性较低。
