据《日经新闻》报道，台积电正考虑提升其尚未建成的日本Fab 23二期工厂的制程能力，目标是在该厂生产其N4（4纳米级）工艺技术的芯片。对于台积电这样的晶圆代工厂而言，根据需求提升工厂能力并不令人意外。但更令人惊讶的是，台积电已将重型机械设备从工地撤走，并通知供应商，在整个2026年都不需要在日本安装新的工厂设备。
台积电位于日本熊本附近的Fab 23二期（亦称JASM二期）原计划采用N6（6纳米级）和N7（7纳米级）制程技术制造芯片，以补充其一期工厂（采用40纳米、28纳米、22纳米、16纳米和12纳米级工艺）的能力。如果《日经新闻》的消息属实，那么Fab 23二期还将增加N4和N5制程能力，为日本客户生产更先进的芯片。
诚然，尽管N5/N4和N7/N6这两大工艺家族的设计规则完全不同，且前者因使用多达14层EUV光刻而比后者先进得多，但它们所使用的设备大体相似。因此，台积电的N5/N4工厂可以复用N7/N6生产线高达90%的设备，这使得工厂升级相对容易。也就是说，将Fab 23二期升级至N4和N5对台积电而言不应是巨大挑战，但可能需要一些重新设计，因为N4生产线需要更多EUV光刻机，而这些设备的物理尺寸比DUV设备更大。事实上，早在2023年，该公司就已考虑在熊本启用N4生产，因此可能已为安装更多EUV光刻机做好了一切准备。
关于台积电的Fab 23二期，一个值得注意的有趣情况是：尽管据《日经新闻》报道，该厂在10月下旬已进入实体建设的初期阶段，但11月的现场照片显示有起重机、挖掘机和打桩机。然而，12月初拍摄的图像显示，几乎所有重型设备都已被撤走。此外，供应商被告知工作将暂停，但未说明原因。更有甚者，据报道台积电已通知其设备供应商，在整个2026年都不需要在日本安装新设备。这意味着由于建设延迟，该公司明年将不会开始为JASM二期配备设备，考虑到围绕该设施的所有信息，这几乎不算新闻。
台积电拒绝对此报道置评。但该公司指出，其首席执行官魏哲家在最近一次财报电话会议上宣布了Fab 23二期的建设启动。
魏哲家表示：“接下来在日本，得益于日本中央、县和地方政府的强力支持，我们在熊本的首座专业晶圆厂已于2024年末开始量产，且良率非常好。我们第二座工厂的建设已经开始，其投产时间表将基于客户需求和市场状况。”
