据《日经亚洲》报道，台积电正考虑提升其尚未建成的日本Fab 23二期工厂的制程能力，目标是在该工厂生产基于N4工艺技术（4纳米级）的芯片。对于台积电这类晶圆代工厂而言，提升工厂能力并非意料之外，它们通常会根据需求调整其技术方案。但更令人惊讶的是，台积电已从该厂址移除了重型机械设备，并通知供应商，在整个2026年期间，其在日本将不需要新的工厂设备。
台积电位于日本熊本附近的Fab 23二期工厂（也称为JASM二期）原计划采用N6（6纳米级）和N7（7纳米级）制造技术生产芯片，以补充其一期工厂（采用40纳米、28纳米、22纳米、16纳米和12纳米级制造工艺）的能力。如果《日经》的消息准确，那么Fab 23二期工厂还将增加N4和N5工艺能力，为日本客户生产更先进的芯片。
诚然，尽管N5/N4与N7/N6系列制造技术的设计规则完全不同，前者因采用多达14层极紫外光刻层而比后者先进得多，但它们使用的设备大体相似。因此，台积电的N5/N4工厂可以复用多达90%的N7/N6产线设备，这使得工厂升级相对容易。也就是说，将Fab 23二期升级到N4和N5对台积电来说不应是重大挑战，但可能需要一些重新设计，因为N4生产线需要更多的极紫外光刻设备，而这些设备在物理尺寸上比深紫外光刻设备更大。事实上，早在2023年，该公司就已经考虑在熊本启用N4生产，因此安装更多极紫外光刻扫描仪的一切条件可能已经就绪。
关于台积电Fab 23二期工厂，一个值得注意的有趣情况是：尽管根据《日经》报道，该厂在10月下旬已进入实体建设的早期阶段，但11月拍摄的现场照片显示，现场有起重机、挖掘机和打桩机。然而，12月初拍摄的图像显示，几乎所有重型设备都已被移走。此外，供应商被告知工作将暂停，但未提供原因。再者，据报道，台积电已通知其设备供应商，在整个2026年期间，其在日本将不需要新设备。这意味着由于建设延迟，该公司明年将不会开始为JASM二期工厂配备设备，考虑到围绕该工厂的所有信息，这几乎不算新闻。
