由人工智能加速器推动的制造产能向高带宽内存（HBM）转移，正在引发DRAM市场的持续结构性变化，这已经导致普通DDR和LPDDR内存价格大幅上涨。然而，最糟糕的情况还在后头。据十铨科技（TeamGroup）的总经理称，近期DRAM和NAND产品的合约价格几乎翻倍。据DigiTimes报道，普通内存的供应预计将在2026年初恶化，而在2027年至2028年新增产能出现之前，市场状况不太可能恢复正常。
据知名内存模组、固态硬盘及基于3D NAND产品制造商十铨科技的总经理陈庆文（Gerry Chen）表示，12月份某些类别的DRAM和3D NAND的合约价格环比上涨了80%至100%。现货价格也讲述了类似的故事。在DRAMeXchange上，一颗16Gb DDR5芯片在9月20日的平均价格为6.84美元。到11月19日，平均现货价格上涨至24.83美元，而到了12月1日，一颗16Gb DDR5芯片的平均现货价格进一步攀升至27.2美元（当日最低价为19美元，最高价为37美元）。本质上，仅一个16GB内存模组所需的内存芯片成本就高达约217.6美元。加上PCB、组装和测试，以及电源管理芯片等额外部件，成本将增加8至10美元。因此，在不包含制造商溢价、物流和税费的情况下，一个16GB内存模组的成本现已达到225至228美元。
陈庆文预计，一旦分销库存耗尽，DRAM和NAND的供应将在2026年第一和第二季度进一步恶化。届时他警告说，无论支付意愿如何，获得供货分配都可能变得困难。在他看来，缓解不会很快到来：他预测当前的短缺将持续到2027年底，甚至可能更久。
普通内存短缺的原因众所周知：DRAM制造商将其产能重新分配给用于人工智能加速器的HBM（其使用的DRAM裸片比普通内存更大），例如英伟达（Nvidia）的B300或大型云服务提供商（如亚马逊云科技（AWS）、谷歌（Google）和微软（Microsoft））的定制加速器。这些公司倾向于提前数年预订供应，因此在某个时间点，DRAM制造商将没有足够的产能来满足普通DRAM的需求。
建设一座全新的晶圆厂至少需要三年时间，因此，即使像美光（Micron）、三星（Samsung）或SK海力士（SK hynix）这样的公司今天决定建造一座内存晶圆厂，它最早也要到2028年底才能投产，并且要到2029年的某个时候才能完全达到满负荷生产。
至于NAND，NAND供应商也优先考虑大客户，而这些大客户恰好是人工智能服务器的制造商。陈庆文预计，产能不会在2026年转回个人电脑、智能手机和其他消费设备，这将影响这些设备的价格。
其影响显而易见。发烧友们看到，定制个人电脑的RAM价格每周都在成倍增长，在某些情况下，64GB的DDR5内存现在的价格甚至超过了一台PlayStation 5。本周的黑色星期五和网络星期一的RAM优惠活动，可能是在价格进一步飙升之前购买RAM的最后机会。
