据《日经亚洲》报道，美光科技正计划大幅扩建其广岛业务，以建设一座专门的高带宽内存（HBM）生产设施。报道称，该公司拟在其现有厂区内投资1.5万亿日元（约合96亿美元）建设新工厂，预计明年5月动工，目标在2028年左右开始出货。预计日本经济产业省（METI）将为此项目提供高达5000亿日元的补贴，不过美光和经济产业省均未证实该报道。
HBM可以说是当前人工智能供应链中最紧缺的组件，这赋予了该项目在获取政府补贴方面相当的分量。SK海力士目前引领市场，并已将其在2026年前的大部分HBM、DRAM和NAND产出承诺供应给英伟达。三星正努力凭借其12层HBM3E堆栈技术追赶，而美光则通过与英伟达和AMD的HBM3E供应协议，积极扩大自身市场份额。集邦咨询的数据显示，随着产能增加，美光正朝着占据约四分之一HBM市场的目标迈进，其出货量占比已达20%；一旦专门的广岛扩建项目投产，可能进一步改变市场格局。
日本一直在积极争取此类投资，作为重建国内半导体产能更广泛努力的一部分，为外国芯片制造商提供大量政府激励措施。台积电的熊本工厂以及国家支持的Rapidus项目已是该战略的一部分。
美光本身已是重要受益者。去年，美光宣布计划在同一广岛厂区引入基于极紫外光刻（EUV）的DRAM生产，投入5000亿日元自有资金，并获得了近2000亿日元的补贴支持。今年5月，该设施采用其1γ工艺生产的首批LPDDR5X内存器件已开始送样。
该规划工厂的规模符合对下一代人工智能加速器的预期。英伟达和AMD都在转向HBM4和HBM4E，这两者都需要更严格的工艺控制和更高的堆叠层数。在当前整个GPU周期中，产能一直紧张，由于需求与可用晶圆启动量之间的不匹配，导致了漫长的交付周期和分配限制。如果美光的新工厂在2028年达到量产，将正好赶上那些下一代GPU的上市。
对美光而言，在地缘政治和市场都带来日益增长的不确定性之际，广岛提供了政治和财务上的稳定性，而东京方面愿意承担该项目三分之一资金的意愿，也降低了这项多年期建设的部分风险。到2028年的漫长建设期，也为美光扩大其在HBM领域的影响力提供了一条清晰的路径。
