此前有消息称，高通（Qualcomm）明年将在产品线中推出两个版本的骁龙8 Elite Gen 6和骁龙8 Elite Gen 6 Pro，当时提到非Pro版本将不支持LPDDR6内存且采用不同GPU。最新传闻指出，这两款芯片组的明显差异之一将是普通版骁龙8 Elite Gen 6搭载性能较低的GPU。不过在见证骁龙8 Gen 5的表现后，爆料者对明年新品寄予厚望。
传闻称骁龙8 Elite Gen 6将采用台积电（TSMC）2纳米工艺及全新CPU集群，这意味着其制程工艺与配置将与骁龙8 Elite Gen 6 Pro保持一致。
微博博主数码闲聊站在指出骁龙8 Gen 5因缓存尺寸存在显著差距而游戏性能无法超越骁龙8 Elite之后，最新爆料聚焦于骁龙8 Elite Gen 6的GPU。虽未提及具体规格，但他表示这将是骁龙8 Elite Gen 6 Pro的性能降级版，这一消息并不令人意外。
其他细节强调了两款SoC的相似之处：均采用台积电2纳米工艺，搭载全新的“2+3+3”CPU集群，摒弃当前“2+6”集群。值得注意的是，数码闲聊站未说明骁龙8 Elite Gen 6会采用“N2”还是“N2P”节点。但另有报道称，尽管N2P相较N2仅有5%的性能提升，高通与联发科（MediaTek）为超越苹果（Apple）仍将转向更新制造工艺。
另一位爆料者定焦数码否认了这一说法，他认为苹果A20与A20 Pro、联发科天玑9600（Dimensity 9600）以及高通骁龙8 Elite Gen 6系列均将采用台积电2纳米“N2”节点。高通明年的最大优势或许在于能够提升芯片出货量并侵蚀联发科市场份额——传闻显示标准版骁龙8 Elite Gen 6将用于售价4000元（约565美元）区间的智能手机，这一策略对高通极具战略意义，尤其考虑到Pro型号单颗芯片成本可能超过骁龙8 Elite Gen 5的280美元定价。不过距离正式发布尚有整年时间，建议谨慎看待当前信息。
