三星突破NAND闪存技术，功耗降低96%，契合智能手机需求

三星在开发下一代DRAM和NAND闪存存储技术方面实力雄厚，据称将在明年国际消费电子展上展示全新的LPDDR6技术。而如今这家韩国巨头在新一代NAND闪存研发中取得突破性进展——成功将功耗降低96%。随着人工智能数据中心、智能手机等应用对存储需求激增，NAND闪存的功耗阈值也将显著提升，这项创新技术恰好契合行业发展需求，若能尽早投入量产将具有里程碑意义。

这项采用铁电晶体管的NAND闪存技术创造了能效新纪录。由34位研究人员联合撰写的论文《用于低功耗NAND闪存的铁电晶体管》已在国际顶级学术期刊《自然》发表。研究初期发现氧化物半导体因阈值电压过高难以应用于高性能芯片，但研究人员意外发现该特性可通过抑制阈值电压以下电流来控制漏电流，进而为多层大容量NAND闪存降低功耗提供全新解决方案。

在NAND闪存的单元串结构中，数据存储单元采用串联连接，单元数量增加会导致功耗上升，其原因既包括单元开关关闭后的持续漏电现象，也涉及层数增加带来的读写功耗攀升。研究团队针对这些缺陷创新引入工作机制，使新型NAND闪存较传统存储芯片功耗降低幅度高达96%。虽然报告未明确该技术的商业化时间表，但一旦实现量产，其卓越能效将惠及全行业。

在等待UFS 5.0芯片登陆智能手机等移动设备的同时，业界也期待三星这项突破性技术能顺利推进。