台积电（TSMC）计划在2028年下半年突破2纳米制程极限，直接迈向1.4纳米晶圆量产，这家台湾半导体巨头据称将投入490亿美元初始资金用于建设四座新厂。紧随其后的是日本Rapidus公司，据报道其目标是在2027年建成采用同等光刻技术的晶圆厂。该基地还规划开展1纳米芯片研发，不过具体实施将延后推进。
Rapidus的计划已获得日本政府及本土企业的强力支持，各方通过大规模注资助力这家初创企业实现1.4纳米晶圆制造目标。《日经亚洲》报道称，1.4纳米工厂将选址日本第二大岛屿北海道。Rapidus正紧追台积电步伐，预计于2026年启动下一代制程研发。这项雄心勃勃的计划需要近乎无底线的资金支持，所幸日本政府已全面响应，索尼与丰田等业界巨头也鼎力相助，目前该公司已获得100亿美元资金承诺。
尽管获得巨额注资，Rapidus仍面临所有致力于2纳米及更先进制程量产企业的共同挑战——良品率问题。虽然最新报告未披露具体数据，但这无疑是该半导体制造商面临的最大障碍。该公司尚未启动2纳米晶圆量产，目标是在2027年实现全面规模化生产。
今年初有消息称，Rapidus在2纳米全环绕栅极（GAA）工艺试产方面取得阶段性突破。虽然台积电终将成为其最强竞争对手，但韩国巨头三星也在加速攀登先进光刻技术高峰——据悉该公司已于3月安装了生产1.4纳米芯片必需的阿斯麦（ASML）高数值孔径极紫外光刻机。我们将持续关注Rapidus的技术进展，及时带来最新动态。
