IEEE国际固态电路会议（ISSCC）2026将于2026年2月在旧金山举行，会期五天。本次会议将呈现多篇关于GDDR7、HBM4和LPDDR6等存储技术的论文，以及各类芯片、互连解决方案与DRAM产品的专题研讨。
在DRAM技术专题中，SK海力士（SK hynix）将发布其48 Gbps GDDR7内存技术论文，该方案采用24 Gb（3 GB）容量芯片，通过对称双通道模式与时钟路径优化实现性能突破。相比当前28 Gbps芯片的112 GB/s带宽，48 Gbps GDDR7单芯片带宽可达192 GB/s，提升超过70%。
同时，SK海力士还将展示1cnm LPDDR6 SDRAM研究成果，支持14.4 Gbps引脚速度与16 Gb密度；三星（Samsung）则推出12.8 Gbps的LPDDR6方案。此外，三星将首次公开HBM4 DRAM技术细节：采用12层堆叠实现36 GB容量，单堆栈带宽达3.3 TB/s，计划应用于英伟达（NVIDIA）下一代Vera Rubin AI加速器。
会议其他重点议题包括：
处理器与AI加速器
存内计算与硬件安全
毫米波相控阵与太赫兹接收架构
高速光电收发器与异构互联
生物医学传感与神经接口
英特尔（Intel）、英伟达与超威半导体（AMD）等企业也将发布多项研究成果。
