除了明年需为采用台积电2纳米技术支付溢价外，高通（Qualcomm）与联发科（MediaTek）在筹备骁龙8 Elite Gen 6与天玑9600明年问世之际，还须应对DRAM价格飙升的挑战。传闻称由于LPDDR6内存涨价，仅上述旗舰级芯片方能搭载新一代内存，但这恐怕无助于缓解高通与联发科手机合作伙伴的压力。
据悉高通将推出两个版本的骁龙8 Elite Gen 6，但仅有一个版本支持LPDDR6内存；而联发科的天玑9600则坚持单一版本策略。微博用户数码闲聊站（Digital Chat Station）宣称，明年仅“专业级”芯片会配备LPDDR6内存。该传闻还指出中国内存制造商正筹备于明年大规模量产相同DRAM技术，或将为高通与联发科的骁龙8 Elite Gen 6及天玑9600带来议价空间。
需说明的是，高通据传将推出骁龙8 Elite Gen 6及其顶级版本骁龙8 Elite Gen 6 Pro。如您所料，两个版本存在性能差异——数码闲聊站披露更高速内存支持与更强GPU正是区别所在。
传闻同时提及内存价格将于2027年开始回落，这意味着搭载骁龙8 Elite Gen 7与天玑9700的手机或将更为亲民。尽管2026年LPDDR6内存成本上涨将对旗舰设备造成冲击，但这仅是高通与联发科支付台积电2纳米晶圆费用的冰山一角。
按每片晶圆3万美元估算，两家芯片制造商要么被迫压缩利润，要么迫使手机合作伙伴提高售价。可想而知，这两种结果均不乐观。另有传言称高通与联发科将采用台积电小幅升级的2纳米“N2P”架构，而苹果（Apple）的A20与A20 Pro将坚守2纳米N2架构。
即便N2P工艺相较N2仅提升5%性能，高通与联发科仍执意借此超越苹果——哪怕这意味着骁龙8 Elite Gen 6与天玑9600的定价将达荒谬之境。
