三星Galaxy S26 Ultra即将面世，其最大亮点之一便是搭载了极其强大的处理器——高通骁龙8 Elite Gen 5而非Exynos 2600。然而，若三星无法有效压制高通这款最新旗舰芯片所产生的惊人热量，这一优势恐将迅速转化为史诗级的短板。
为三星Galaxy S26 Ultra配备骁龙8 Elite Gen 5的症结在于，这款旗舰芯片运行温度过高。作为首批搭载该芯片的智能手机之一，一加15不幸出现了过热问题，尤其在运行3DMark Wild Life Extreme等测试时尤为明显。不过在日常大多数使用场景中，一加15所配备的均热板（宣称散热能力提升两倍）能够较好地履行其职责。
问题的根源在于高通骁龙8 Elite Gen 5芯片在高压状态下功耗可达惊人的22W。作为对比，超极本级别的处理器通常功耗也仅在此范围。需注意的是，配备英特尔酷睿i9-14900HX处理器的游戏笔记本在闲置时功耗通常为15W，温度约达62度，但这类设备配备有转速达6000RPM的专用冷却风扇。
这显然与高通骁龙8 Elite Gen 5的CPU架构有关，其配置包括：
6个主频3.63 GHz的Oryon Phoenix M性能CPU核心
2个主频4.61 GHz的Oryon Phoenix L Prime CPU核心
有人迅速将矛头指向该芯片缺乏能效核心的设计。但缺乏能效核心本身并非问题所在，毕竟联发科天玑9500同样未配备任何能效核心。关键在于骁龙8 Elite Gen 5六个性能核心的时钟频率设置。虽然三星Exynos 2600芯片的最终CPU核心配置尚未公布，但近期由可靠消息源泄露的内部基准测试显示，其主核心频率仅比骁龙8 Elite Gen 5的性能核心高出4.6%！
这些数据令人震惊。因此，在相同基准测试中，高通最新旗舰芯片最近被曝出板级功耗达19.5W，而A19 Pro仅为12.1W，这并不出乎意料。
考虑到三星仅为Galaxy S26 Ultra配备了仅扩大1.2倍的均热板，该设备很可能面临散热问题。需要特别注意的是，三星将在全球范围内统一搭载骁龙8 Elite Gen 5芯片推出S26 Ultra，不会存在任何区域性的SoC差异。
骁龙8 Elite Gen 5或许最终将成就Exynos 2600的闪耀时刻
当然，若三星Galaxy S26 Ultra最终确实出现散热问题，这将为三星自研的Exynos 2600提供绝佳的展示机会。
需要说明的是，Exynos 2600放弃了三星的FinFET晶体管，转而采用全新的全环绕栅极晶体管技术。该技术利用垂直堆叠的水平纳米片作为栅极，从四个方向包围通道，从而减少电流泄漏并提高驱动电流，最终实现更强大且高效的芯片性能。
更重要的是，Exynos 2600采用三星2纳米制程工艺，这应能进一步提升其能效表现。根据三星官方数据，其2纳米Exynos 2600具有以下特性：
相较于3纳米Exynos 2500，性能提升最高达5%
能效较Exynos 2500提升最高达8%
芯片面积比Exynos 2500缩小约5%
据ETNews报道，凭借热阻阻断等技术特性，Exynos 2600可提供令人满意的性能表现。根据最新评估，三星Exynos 2600的良品率已从约30%提升至目前的60%左右。
此外，ZDNET近期报告指出，Exynos 2600已实现稳定的良品率，在能效和热控制方面取得重大进展，提升幅度约达30%，其NPU性能也显著增强，从而提升AI表现。
最后，正如我们本周早些时候所指出的，三星移动通信部门已与其LSI部门就Exynos 2600芯片达成了极具吸引力的单价协议。据悉，LSI部门将以比高通骁龙8 Elite Gen 5低20-30美元的价格，为基础版Galaxy S26和S26+供应Exynos 2600芯片。
此举将有助于三星处境艰难的移动部门提升利润空间，并为未来全面转向自研芯片铺平道路——特别是在Exynos 2600能够与骁龙8 Elite Gen 5抗衡且不出现重大散热问题的情况下。
