华为计划通过发布旗舰智能手机系列来遏制苹果在中国市场日益增长的势头，Mate 80系列将成为其顶级产品。尽管该公司在摄像头升级方面积累了专业技术，新一代麒麟9030芯片也将搭载于机身内部——不出所料，这款芯片组正经历着惯常的炒作浪潮。甚至有爆料者宣称华为下一代SoC将采用等效3纳米工艺制造，但这纯属无稽之谈。
目前中国尚未拥有能开发等效3纳米芯片的先进设备，麒麟9030很可能继续采用中芯国际（SMIC）的7纳米制造工艺。
微博用户“瞬间数码”（又名“刹那数码”）对麒麟9030作出大胆断言，称其将于2026年初应用于主打游戏功能的智能手机。虽然华为追求类似红魔11 Pro美学设计的设备无可厚非，但当传闻超越现实边界时便值得警惕。我们之所以如此判断，是因为华为与中芯国际至今未能突破7纳米工艺壁垒，而当前流言却暗示麒麟9030将采用等效于台积电（TSMC）3纳米节点的制程。
诚然已有无数报道宣称华为与中芯国际成功研发5纳米工艺，但技术研发与大规模量产之间存在天壤之别。中国半导体企业面临的最大障碍是缺乏新一代EUV光刻设备——这对5纳米及以下节点的晶圆全面量产至关重要，因为该设备能实现更高良品率。早前传闻中国计划在2025年第三季度启动国产EUV设备试产，但截至目前该领域几无进展传出。
至少从爆料者主张来看，麒麟9030可能对标采用台积电最新3纳米“N3P”节点制造的谷歌Tensor G5。但除此之外，华为几乎不可能与骁龙8 Elite Gen 5、天玑9500、A19 Pro乃至即将面世的Exynos 2600等竞品抗衡。不过我们预期麒麟9030性能将介于骁龙8 Gen 2与骁龙8 Gen 3之间，且让我们期待未来的性能与能效对比测试。
