尽管近期内存价格大幅上涨令发烧友震惊，但制造商预计不会实质性增加标准内存产量以抵消人工智能行业的需求。据集邦咨询（TrendForce）分析，内存制造商正限制扩建产能的资本支出，转而专注于工艺技术研发、通过堆叠提高密度，以及利润丰厚得多的AI加速器用HBM芯片（生产HBM所需晶圆远超标准内存类型）。
三大内存芯片制造商——美光（Micron）、SK海力士（SK hynix）和三星（Samsung）——预计将投入540亿美元资本支出，但重点在于提升AI芯片用HBM模块性能。因此，尽管DRAM领域投资同比增长14%，却不会增加内存芯片的可用比特输出。由此可推断，当前的供应短缺将持续至明年并延续至2027年。专家指出，基础设施建设推动的AI芯片巨量需求将引发持续十年的“定价末日”。
尽管内存和存储芯片需求旺盛，特别是在AI企业多年扩张计划推动下，制造商并未盲目扩张产能。除半导体行业固有的波动性外，行业领袖认为我们已身处AI泡沫中，分析师指出相关基础设施投资需达到每年6500亿美元营收才具有经济合理性。
因此，内存芯片制造商对投入数十亿美元建设基础设施持谨慎态度——若出现最坏情况，这些投资将面临零需求困境。即便立即新建工厂，也需两年以上才能全面投产供应市场。
制造商正将资本支出集中于投资回报率更高的技术领域。为满足利润更丰厚的芯片需求，内存制造商正在改造现有DRAM生产线而非新建工厂。这种方式比新建产线更便捷、经济且风险更低——但代价是消费级内存模组产量缩减。
