高带宽内存（HBM）的技术进步促使韩国存储制造商SK海力士（SK hynix）着手解决另一个性能瓶颈——通过开发高带宽存储（HBS）技术，让未来智能手机和平板电脑能够展现卓越的人工智能能力。该公司将采用名为垂直布线扇出（VFO）的技术，通过堆叠多达16层DRAM与NAND芯片来实现这一突破，从而提升数据处理速度。
与传统弯曲布线连接方式不同，VFO技术通过直线连接DRAM与NAND芯片堆栈，可有效防止数据传输损耗。据ETNews报道，VFO封装技术对HBS的成功至关重要。SK海力士于2023年首次推出该技术，随着生成式AI应用的普及，高带宽存储现已集成于智能手机和平板设备中。
相较于传统弯曲布线，VFO技术能缩短布线距离、减少信号传输损耗与延迟，并支持更多I/O连接。这些改进共同提升了数据处理性能。HBS将与智能手机芯片组集成封装，随后装配到设备的主板上。目前尚未公布支持该技术的具体SoC型号，但传闻骁龙8 Elite Gen 6 Pro将同时支持LPDDR6内存与UFS 5.0存储，使其成为潜在适配平台。
在成本方面，HBS技术与HBM不同，无需穿透芯片的硅通孔（TSV）工艺。省略这一步骤可降低制造成本并提高良率，这对有意采用该技术的厂商而言颇具吸引力。有消息称苹果公司（Apple）计划在未来设备中采用HBM与TSV技术，使iPhone能本地运行更复杂的AI模型，因此该公司已着手探索HBS技术的消息并不令人意外。
