据《锡拉丘兹报》援引美光科技（Micron）最新发布的文件报道，该公司位于纽约州克莱镇附近的晶圆厂再次被披露出现重大延期，预计这些设施要到2033年末才能投产。若消息属实，此次推迟意味着这个原定于2025年在纽约州启动生产的重大半导体产业集群面临严峻挑战。但就在克莱镇项目延期的同时，该公司正在加速其爱达荷州晶圆厂建设，并将《芯片法案》资金重新调配至该设施。
根据美光于2025年6月正式发布的环境影响报告草案显示，第一座晶圆厂的建设阶段原定于2026年末启动（按公司2025年7月1日公布的美国扩张计划，需先进行一年筹备），并持续至2028年下半年或2029年初。通常需要12至24个月才能完成晶圆厂的全套设备配置，因此合理预计第一座晶圆厂将在2030年开始生产DRAM，较最初预期推迟了五年。
同一份环境文件显示，第二座晶圆厂建设定于2028年下半年启动，第三座于2033年下半年，第四座于2039年上半年。按此规划，美光克莱园区将在2045年全面建成并实现满负荷生产，比原计划落后五年。
美光在6月提交的环境影响报告中声明：“公司将于2025年第四季度启动项目初步场地准备工作，前两座DRAM制造设施预计分别于2029年和2030年投产，其余晶圆厂预计于2035年和2041年投入运营。”
然而若《锡拉丘兹报》信息准确，美光纽约项目正面临又一次重大延期。根据该媒体获得的最新非公开环境文件，首座晶圆厂的建设周期将从三年延长至四年，使其完工时间推迟至2030年末而非原定的2028年下半年。这将自然导致整个项目进程及招聘、运营计划全面延后。新方案据称已获得奥农达加县工业发展署批准，意味着场地准备工作可在监管机构审批后续阶段时同步推进。
报道称美光未明确修订时间表的原因，但确认了与美国商务部达成的61亿美元《芯片法案》资金协议已进行修订。据透露，由于公司提前推进爱达荷州ID2设施建设，修订后纽约项目的运营启动窗口将延长约两年。两座爱达荷州设施——包括现有和规划中各一座——将先于克莱镇项目完工，这表明美光正在战略性地重新调整项目优先级。
据称在此次调整中，美光将约12亿美元联邦拨款从纽约转移至爱达荷州，使克莱镇项目份额从46亿美元降至34亿美元。公司表示此次更新符合联邦协议中不断演变的项目要求。包括奥农达加县行政长官瑞安·麦克马洪（Ryan McMahon）在内的当地官员将延期归因于普遍劳动力短缺及美国半导体项目日益常见的建设周期延长。
纽约项目的重新调整或许不会影响美光在美国生产40%DRAM的终极目标，因为公司采取的是按序推进而非全面推迟新厂的策略。同时，优先建设ID2晶圆厂将对美光在美国的HBM产量产生积极影响——公司还计划在爱达荷州建造用于HBM及其他需要堆叠与先进封装存储器的先进封装设施。
