SK海力士（SK hynix）在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM技术路线图。虽然规划展示得较为笼统且未透露关键细节，但仍揭示了DRAM技术演进方向及新技术的大致问世时间。由于该路线图是在AI活动中展示，其内容明显偏向AI服务器需求。
在可预见的未来，传统DRAM类型（如DDR、GDDR和LPDDR）将继续满足AI服务器的内存需求，各自服务于不同应用场景。而HBM内存则将持续为高带宽需求的AI和HPC处理器提供支持。SK海力士将3D DRAM列为2030年有望问世的技术，但细节匮乏，目前仅能推测其在下个十年初期的技术特性。
未来数年，DDR5将持续在成本、容量与性能间保持平衡。其演进形态包括计划于2026至2027年推出的MRDIMM Gen2（支持12,800 MT/s数据传输速率），以及预计2027至2028年上市的第二代CXL内存扩展器。根据多次报道，DDR6需待2029或2030年才会面世，此前DDR5将持续迭代发展。
具备数据中心级芯片特性的LPDDR6预计将在本十年末实现高容量、高性能与低功耗的融合。SK海力士预计基于LPDDR6的SOCAMM2模块将于2020年代末问世，届时可能配合英伟达（Nvidia）后Vera架构CPU推出，并需要全新的内存子系统。值得注意的是，该公司计划于2028年推出面向特定应用的LPDDR6-PIM（内存模块内处理）解决方案。
对于GDDR7，它将继续作为推理加速器（如英伟达Rubin CPX）的细分解决方案——虽具备极高性能与相对HBM更低的成本，但缺乏所需的大容量。SK海力士列出的“GDDR7-Next”很可能指代GDDR8，这与美光（Micron）专为英伟达开发GDDR5X/GDDR6X的路线形成对比。
未来几年SK海力士最高性能的DRAM解决方案将是按1.5至2年周期迭代的HBM4、HBM4E、HBM5与HBM5E内存系列，该产品线将持续更新至2031年。值得关注的是，原计划支撑英伟达2028年底推出的费曼（Feynman）架构的HBM5，可能延至2029年甚至2030年亮相。针对需要定制内存解决方案的客户，该公司还将提供定制化HBM4E、HBM5与HBM5E模块，不过客户的具体定制方案仍有待观察。
至于承诺提供媲美HBM性能与3D NAND容量的高带宽闪存（HBF）产品，SK海力士预计其不会早于2030年问世。该技术需开发全新存储介质，并与闪迪（SanDisk）等NAND制造商共同敲定最终规范——后者于今年初率先提出了这项技术。
