在2025年SK AI峰会上，SK海力士公布了其下一代DRAM内存与NAND闪存产品路线图，并介绍了定制HBM、HBF及人工智能优化产品等多项创新技术。
SK海力士的规划分为两个阶段：第一阶段覆盖2026至2028年，第二阶段覆盖2029至2031年。在2026-2028年期间，公司将推出HBM4 16层堆叠和HBM4E 8/12/16层堆叠解决方案，同时提供定制HBM方案。该方案将HBM控制器及相关IP整合至HBM基础晶粒，可帮助GPU/ASIC制造商扩大计算芯片面积并降低接口功耗。SK海力士将与台积电合作开发定制HBM解决方案。
此外，公司还将推出常规LPDDR6内存，以及专注于人工智能的“AI-D”DRAM解决方案，包括LPDDR5X SOCAMM2、MRDIMM Gen2、LPDDR5R与第二代CXL LPDDR6-PIM。在NAND领域，将推出容量高达245TB以上的PCIe Gen5 eSSD、PCIe Gen6 eSSD/cSSD、UFS 5.0以及面向人工智能的“AI-N”NAND解决方案。
进入2029-2031年阶段，SK海力士将开始研发下一代HBM5、HBM5E及其定制解决方案。在DRAM方面，除了3D DRAM外，还将推出GDDR7-next与DDR6产品。值得注意的是，GDDR7-next意味着独立显卡在较长时间内将停留在GDDR7标准，当前首代GDDR7速度限于30-32 Gbps，标准上限为48 Gbps，预计2027-2028年才能充分发挥其潜力。而DDR6的规划也表明传统台式机和笔记本电脑至少还需数年才能超越DDR5标准。
未来NAND产品方面，SK海力士计划推出400层以上4D NAND及HBF高带宽闪存解决方案，后者旨在满足下一代PC对人工智能推理的需求。
全栈人工智能内存产品线战略显示，未来内存解决方案将突破传统计算范畴，通过定制HBM、AI-DRAM与AI-NAND实现计算资源高效利用，并结构性解决人工智能推理瓶颈。其中：
定制HBM通过整合GPU/ASIC功能至HBM基础层，最大化芯片性能并降低数据传输功耗；
AI-D细分为三大方向：优化能效的“AI-D O”、突破内存墙的“AI-D B”超高容量内存，以及拓展至机器人、移动设备和工业自动化领域的“AI-D E”。
目前SK海力士公布的多数技术尚需3至4年才能落地，技术演进仍存在变数，但新一代技术的到来已令人期待。
