三星宣布将于2026年开始量产下一代HBM4内存、24Gb GDDR7 DRAM及128GB以上容量产品，并确保2纳米GAA制程的稳定供应。
在最新发布的2025年第三季度财报中，这家韩国科技巨头实现营收86.1万亿韩元，环比增长15.4%。其内存业务创下季度销售额历史新高，主要得益于人工智能浪潮带动的HBM3E内存和服务器固态硬盘强劲需求。
三星近日首次展示了下一代HBM4内存解决方案，每颗芯片速率高达11Gbps。该方案有望成为英伟达（NVIDIA）Rubin架构与超威半导体（AMD）MI400系列等下一代AI加速器的核心配置。据悉，三星已向AI芯片制造商送样进行验证测试。
除HBM4外，三星计划在2026年实现2纳米GAA制程与HBM4基础晶圆的稳定供应。其2纳米工艺将应用于下一代Exynos和高通骁龙（Qualcomm Snapdragon）芯片，并于本季度启动量产爬坡。
针对2025年第四季度规划，三星表示将通过HBM3E、高容量企业级固态硬盘等尖端内存产品，积极应对AI与传统服务器需求。同时将持续扩大128GB以上DDR5、24Gb GDDR7等高性能服务器内存产品的销售。
至2026年，内存业务将聚焦具有差异化性能的HBM4产品量产，并同步拓展HBM销售基础。随着HBM4需求预计显著增长，公司计划通过一产能扩张积极应对，同时重点扩大DDR5、LPDDR5X及高容量QLC固态硬盘等高附加值产品的AI应用布局。
晶圆代工业务方面，2025年第四季度将通过提升2纳米GAA产品量产规模、优化晶圆厂利用率及成本控制实现持续盈利改善。到2026年，重点将转向保障新一代2纳米GAA产品与HBM4基础晶圆稳定供应，并如期启动美国德克萨斯州泰勒市晶圆厂运营。
值得关注的是，128GB以上DDR5内存与24Gb GDDR7 DRAM将在2026年发挥关键作用。随着超威半导体（AMD）与英特尔（Intel）新一代服务器平台于当年下半年发布，市场将迎来重大变革。
GDDR7将继续在高性能消费级与AI显卡领域保持热度。英伟达（NVIDIA）最新发布的Rubin CPX GPU有望搭载该内存，而英伟达（NVIDIA）RTX 50 “SUPER”系列、超威半导体（AMD）可能推出的Radeon “RDNA 5”或“RDNA 4”升级款等AI与游戏产品也将采用GDDR7。24Gb DRAM芯片将显著提升显存容量，填补主流入门级市场空白。
当前DRAM与固态硬盘市场的核心矛盾在于产能向AI领域倾斜，导致消费级产品价格飙升。近期DDR5内存与固态硬盘已出现显著涨价与供应短缺，所有主要DRAM制造商均宣布上调DDR5/DDR4价格，未来数月市场走势值得密切关注。
